MCU(如： 基于Cortex V6M 的Cortex M0+ 等) Code 通常運(yùn)行在內(nèi)嵌Flash 中。 在某些特定應(yīng)用場(chǎng)合，需要將部分函數(shù)運(yùn)行于RAM?中。為解決次問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了一種解法，具體做法如下：

1. 實(shí)現(xiàn)要運(yùn)行在RAM的 routine， 本rouTIne 使用純匯編實(shí)現(xiàn), 如：

__asm void program_word2addr(uint32_t addr, uint32_t data)

{

push {r3, r4, r5, lr} ;save some regsiters

/*your code for this rouTIne*/

pop {r3, r4, r5, pc}

}

2. 編譯時(shí)，采用code 與運(yùn)行位置無(wú)關(guān)的編譯選項(xiàng) 如 (Keil --apcs /ropi/rwpi), 生成 *.axf;

3. 通過(guò)fromelf -c 將生成 *.axf 反匯編，找到對(duì)應(yīng)program_word2addr 實(shí)現(xiàn)部分， 并將rouTIne 對(duì)應(yīng)的binary code Copy 到所要應(yīng)用的 Code 中，以只讀數(shù)組的形式出現(xiàn)：

如：

const staic uint16_t s_flashProg2AddressCode[16] = {...., ....}

4. 定義 一個(gè)全局?jǐn)?shù)組, 如 staTIc uint16_t g_code[16], size正好等于

s_flashProg2AddressCode的長(zhǎng)度;

5. 定義一個(gè)函數(shù)指針, 如 static void (*callFlashPrg2Address)(uint32_t addr, uint32_t data)

6. 定義一個(gè)函數(shù)實(shí)現(xiàn)將Code 運(yùn)行與 RAM如：

void run_prgcode_onram(uint32_t addr, uint32_t data)

{

memcpy(g_code,s_flashProg2AddressCode,32 );

callFlashPrg2Address = (void (*)(uint32_t addr, uint32_t data))((uin32_t)g_code + 1);

callFlashPrg2Address (address, data);

}

run_prgcode_onram, 便可以將program_word2addr 運(yùn)行于RAM中。

callFlashPrg2Address = (void (*)(uint32_t addr, uint32_t data))((uin32_t)g_code + 1); +1 的目的，時(shí)由于運(yùn)行平臺(tái)為 Cortex V6M , 采用的thumb指令集，根據(jù)ARM Spec 要 求完成。

callFlashPrg2Address (address, data); 則是實(shí)現(xiàn)RAM運(yùn)行program_word2addr 的關(guān)鍵所在。