當(dāng)開(kāi)關(guān)電源的諧波電平在低頻段（頻率范圍0.15～30MHz）表現(xiàn)在電源線上時(shí)，稱之為傳導(dǎo)干擾。要抑制傳導(dǎo)干擾相對(duì)比較容易，只要使用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器，就能將其在電源線上的EMI信號(hào)電平抑制在相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值內(nèi)。

　　要使EMI濾波器對(duì)EMI信號(hào)有最佳的衰減性能，則濾波器阻抗應(yīng)與電源阻抗失配，越失配，實(shí)現(xiàn)的衰減越理想，得到的插入損耗特性就越好。也就是說(shuō)，如果噪音源內(nèi)阻是低阻抗的，則與之對(duì)接的EMI濾波器的輸入阻抗應(yīng)該是高阻抗（如電感量很大的串聯(lián)電感）;如果噪音源內(nèi)阻是高阻抗的，則EMI濾波器的輸入阻抗應(yīng)該是低阻抗（如容量很大的并聯(lián)電容）。這個(gè)原則也是設(shè)計(jì)抑制開(kāi)關(guān)電源EMI濾波器必須遵循的。

　　幾乎所有設(shè)備的傳導(dǎo)干擾都包含共模噪音和差模噪音，開(kāi)關(guān)電源也不例外。共模干擾是由于載流導(dǎo)體與大地之間的電位差產(chǎn)生的，其特點(diǎn)是兩條線上的雜訊電壓是同電位同向的;而差模干擾則是由于載流導(dǎo)體之間的電位差產(chǎn)生的，其特點(diǎn)是兩條線上的雜訊電壓是同電位反向的。通常，線路上干擾電壓的這兩種分量是同時(shí)存在的。由于線路阻抗的不平衡，兩種分量在傳輸中會(huì)互相轉(zhuǎn)變，情況十分復(fù)雜。典型的EMI濾波器包含了共模雜訊和差模雜訊兩部分的抑制電路，如圖1所示。

　　圖中：

　　差模抑制電容Cx1、Cx2:0.1～0.47μF;

　　差模抑制電感L1、L2:100～130μH;

　　共模抑制電容Cy1、Cy2：《10000pF;

　　共模抑制電感L:15～25mH。

　　設(shè)計(jì)時(shí)，必須使共模濾波電路和差模濾波電路的諧振頻率明顯低于開(kāi)關(guān)電源的工作頻率，一般要低于10kHz，即

　　在實(shí)際使用中，由于設(shè)備所產(chǎn)生的共模和差模的成分不一樣，可適當(dāng)增加或減少濾波元件。具體電路的調(diào)整一般要經(jīng)過(guò)EMI試驗(yàn)后才能有滿意的結(jié)果，安裝濾波電路時(shí)一定要保證接地良好，并且輸入端和輸出端要良好隔離，否則，起不到濾波的效果。

　　開(kāi)關(guān)電源所產(chǎn)生的干擾以共模干擾為主，在設(shè)計(jì)濾波電路時(shí)可嘗試去掉差模電感，再增加一級(jí)共模濾波電感。常采用如圖2所示的濾波電路，可使開(kāi)關(guān)電源的傳導(dǎo)干擾下降近30dB，比CISOR22標(biāo)準(zhǔn)的限值低了近6dB以上。

　　還有一個(gè)設(shè)計(jì)原則是不要過(guò)于追求濾波效果而造成成本過(guò)高，只要達(dá)到EMC標(biāo)準(zhǔn)的限值要求并有一定的余量（一般可控制在6dB左右）即可。

　　2、輻射EMI的抑制措施

　　如前所述，開(kāi)關(guān)電源是一個(gè)很強(qiáng)的騷擾源，它來(lái)源于開(kāi)關(guān)器件的高頻通斷和輸出整流二極管反向恢復(fù)。很強(qiáng)的電磁騷擾信號(hào)通過(guò)空間輻射和電源線的傳導(dǎo)而干擾鄰近的敏感設(shè)備。除了功率開(kāi)關(guān)管和高頻整流二極管外，產(chǎn)生輻射干擾的主要元器件還有脈沖變壓器及濾波電感等。

　　雖然，功率開(kāi)關(guān)管的快速通斷給開(kāi)關(guān)電源帶來(lái)了更高的效益，但是，也帶來(lái)了更強(qiáng)的高頻輻射。要降低輻射干擾，可應(yīng)用電壓緩沖電路，如在開(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián)RCD緩沖電路（如圖3所示），或電流緩沖電路，如在開(kāi)關(guān)管的集電極上串聯(lián)20～80μH的電感。電感在功率開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)能避免集電極電流突然增大，同時(shí)也可以減少整流電路中沖擊電流的影響。

　　功率開(kāi)關(guān)管的集電極是一個(gè)強(qiáng)干擾源，開(kāi)關(guān)管的散熱片應(yīng)接到開(kāi)關(guān)管的發(fā)射極上，以確保集電極與散熱片之間由于分布電容而產(chǎn)生的電流流入主電路中。為減少散熱片和機(jī)殼的分布電容，散熱片應(yīng)盡量遠(yuǎn)離機(jī)殼，如有條件的話，可采用有屏蔽措施的開(kāi)關(guān)管散熱片。

　　整流二極管應(yīng)采用恢復(fù)電荷小，且反向恢復(fù)時(shí)間短的，如肖特基管，最好是選用反向恢復(fù)呈軟特性的。另外在肖特基管兩端套磁珠和并聯(lián)RC吸收網(wǎng)絡(luò)均可減少干擾，電阻、電容的取值可為幾Ω和數(shù)千pF，電容引線應(yīng)盡可能短，以減少引線電感。實(shí)際使用中一般采用具有軟恢復(fù)特性的整流二極管，并在二極管兩端并接小電容來(lái)消除電路的寄生振蕩（如圖4所示）。

　　負(fù)載電流越大，續(xù)流結(jié)束時(shí)流經(jīng)整流二極管的電流也越大，二極管反向恢復(fù)的時(shí)間也越長(zhǎng)，則尖峰電流的影響也越大。采用多個(gè)整流二極管并聯(lián)來(lái)分擔(dān)負(fù)載電流，可以降低短路尖峰電流的影響。

　　開(kāi)關(guān)電源必須屏蔽，采用模塊式全密封結(jié)構(gòu)，建議用1mm以上厚度的鍍鋅鋼板，屏蔽層必須良好接地。在高頻脈沖變壓器初、次級(jí)之間加一屏蔽層并接地，可以抑制干擾的電場(chǎng)耦合。將高頻脈沖變壓器、輸出濾波電感等磁性元件加上屏蔽罩，可以將磁力線限制在磁阻小的屏蔽體內(nèi)。

　　根據(jù)以上設(shè)計(jì)思路，對(duì)輻射干擾超過(guò)標(biāo)準(zhǔn)限值20dB左右的某開(kāi)關(guān)電源，采用了一些在實(shí)驗(yàn)室容易實(shí)現(xiàn)的措施，進(jìn)行了如下的改進(jìn)：

　?。?）在所有整流二極管兩端并470pF電容;

　?。?）在開(kāi)關(guān)管G極的輸入端并50pF電容，與原有的39Ω電阻形成一RC低通濾波器;

　?。?）在各輸出濾波電容（電解電容）上并一0.01μF電容;（4）在整流二極管管腳上套一小磁珠;

　?。?）改善屏蔽體的接地。

　　經(jīng)過(guò)上述改進(jìn)后，該電源就可以通過(guò)輻射干擾測(cè)試的限值要求。

　　3、EMI濾波器的發(fā)展趨勢(shì)

　　90年代以來(lái)，隨著電子設(shè)備小型化和表面組裝技術(shù)的發(fā)展，電子元器件向小型化、片式化、復(fù)合化、多功能和高性能化發(fā)展，各種表面組裝元件逐漸成為電子元件的主流產(chǎn)品。因此，目前擺在傳統(tǒng)EMI濾波器面前的一個(gè)不可回避的問(wèn)題是如何適應(yīng)電子設(shè)備小型化的發(fā)展需求。目前，國(guó)際片式EMI濾波器以信號(hào)濾波器為主，可運(yùn)用于電源的EMI濾波器較少。有效抑制開(kāi)關(guān)電源噪聲的新一代EMI濾波器應(yīng)該是由有效的共、差模扼流圈和若干電容組成的相關(guān)電路，為了減小體積，這些電感、電容元件應(yīng)盡可能采用片式元件。以采用片式電容、電感為主的新一代EMI濾波器的出現(xiàn)和發(fā)展將是歷史的必然。與標(biāo)準(zhǔn)模塊電源的發(fā)展歷史一樣，新一代EMI濾波器也應(yīng)該向標(biāo)準(zhǔn)模式電路的方向發(fā)展。由于目前直流系列片式電容發(fā)展迅速，所以新一代直流系列EMI濾波器的發(fā)展有可能成為現(xiàn)實(shí)。

　　4、結(jié)束語(yǔ)

　　開(kāi)關(guān)電源技術(shù)是一項(xiàng)綜合性技術(shù)，可以利用先進(jìn)的半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)技術(shù)、磁性材料、電感元件技術(shù)以及開(kāi)關(guān)器件技術(shù)等來(lái)有效地減少和抑制EMI。目前，開(kāi)關(guān)電源已日益廣泛地應(yīng)用到各種控制設(shè)備、通信設(shè)備以及家用電器中，其電磁干擾問(wèn)題及與其它電子設(shè)備的電磁兼容問(wèn)題已日益成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)，未來(lái)電磁干擾及其相關(guān)問(wèn)題必將得到更多的研究。