基于UC1845的多路輸出雙管反激開關(guān)電源方案 - 全文

　　0 引言

　　隨著器件、工藝水平的飛速發(fā)展，開關(guān)型功率變換器已發(fā)展成高效、輕型的直流電源，空間飛行器（星、箭、船等）DC/DC變換器（又稱二次電源）也采用該項技術(shù)。

　　主要原因是衛(wèi)星電子設(shè)備對電源的效率、重量、體積和可靠性的要求越來越高，而傳統(tǒng)的線性電源方案幾乎無法滿足飛行器系統(tǒng)的需要。在各種類型的DC/DC變換器中，PWM 型DC/DC變換器因結(jié)構(gòu)種類多，技術(shù)領(lǐng)先，便于實現(xiàn)，已經(jīng)得到廣泛應用［1］。

　　在航天應用領(lǐng)域開關(guān)電源的多種拓撲中，可用于100 V高壓母線輸入多路輸出的開關(guān)電源，大多數(shù)采用的是兩級式變換器，如Buck+推挽兩級式變換器，先通過Buck電路將母線電壓降壓，這樣母線電壓要經(jīng)過二次調(diào)整，使電壓調(diào)整率降低；再從器件數(shù)量上來說，兩級拓撲，功率開關(guān)管至少需要3個，電源體積大且功率密度低，從整體分析不是很理想；而對于可以承受高壓輸入的雙管正激開關(guān)電源來說，電路結(jié)構(gòu)相對簡單，但其不適合用于多路輸出的場合，輸出交叉調(diào)整率較低，穩(wěn)定度差；適合用于中小功率多路輸出DC-DC 變換器的電路拓撲還有是單管反激電路，其電路結(jié)構(gòu)簡單，成本低，但在高輸入電壓場合中單管反激電路主開關(guān)管的電壓應力非常高，選用200 V耐壓的MOSFET管根本無法滿足Ⅰ級降額的要求，如果選用更高耐壓的MOSFET管，由于其導通電阻更高，勢必影響電源的轉(zhuǎn)換效率，同時還可能帶來真空環(huán)境下的低氣壓放電問題。

　　因此為了克服以上所提到的問題，本文設(shè)計了一種星上用基于UC1845的多路輸出雙管反激開關(guān)電源，很適合應用于高壓100 V母線輸入、多路輸出場合。對于雙管反激開關(guān)電源，首先，其電路拓撲簡單，輸入輸出電氣隔離升/降壓范圍廣，具有輸出多路負載自動均衡等優(yōu)點；其次，由于航天電源對可靠性的要求，所有器件必須滿足一級降額標準，在雙管反激變換電路中，當功率管關(guān)斷時，變壓器漏感電流可通過續(xù)流二極管反饋給電源同時將開關(guān)管兩端的電壓箝位在電源電壓，因此功率管所承受的電壓應力和輸入電壓相等，使選管的范圍擴大，可靠性提高；再次，雙管反激開關(guān)電源電路漏感能量可以回饋到輸入側(cè)，無須增加任何吸收電路，因而轉(zhuǎn)換效率也比單管反激電路高。因此將其運用于航天器高壓輸入多路輸出場合，優(yōu)勢很大，具有實際的工程應用價值。

　　1 系統(tǒng)設(shè)計圖

　　系統(tǒng)設(shè)計框圖如圖1所示。

　　系統(tǒng)設(shè)計框圖

　　2 雙管反激拓撲結(jié)構(gòu)

　　雙管反激拓撲結(jié)構(gòu)如圖2所示。

　　雙管反激拓撲結(jié)構(gòu)圖

　　如圖2所示，VT1和VT2分別串接于變壓器的頂端和底端。兩個開關(guān)管同時導通和關(guān)斷，當它們導通時，所有初級和次級的同名端為正，此時次級VD3 反偏，次級無電流流通，初級繞組儲存能量；當它們關(guān)斷時，存儲于勵磁電感上的電流使所有繞組電壓極性反向，VD3 正偏，勵磁電感中儲存的能量被傳輸?shù)截撦d，而此時LP同名端電位被二極管VD2鉗位至地，LP異名端電位被二極管VD1 鉗位至電源電壓U1.所以，VT1 的源極電壓不會超過U1，VT2的漏極電壓也不會超過U1.漏感尖峰被鉗位，使任一開關(guān)管的最大電壓應力都不會超過最大直流輸入電壓。

　　雙管反激變換器還有一個顯著的優(yōu)點是沒有漏感能量消耗。開關(guān)管導通時，存儲于漏感中的所有能量不是消耗于電阻元件或功率開關(guān)管內(nèi)，而是在開關(guān)管關(guān)斷時通過VT1 和VT2 回饋［2］給U1.漏感電流從LP 的異名端流出，經(jīng)VD1流入U1的正極，然后從其負極流出，經(jīng)VD2返回LP的同名端，使漏感能量能回饋到輸入側(cè)，提高了整機的轉(zhuǎn)換效率。

　　在航天電源中，對于高壓100 V 母線輸入電源，雙管反激開關(guān)電源便顯示出極大的優(yōu)勢。

　　3 UC1845 控制電路

　　UC1845 是由Texas Instruments 公司生產(chǎn)的電流控制型PWM 控制器，該芯片電路開關(guān)頻率可調(diào)節(jié)，具有電流反饋和電壓反饋雙環(huán)控制的特點，電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率高。其內(nèi)部功能模塊框圖如圖3 所示。圖3 中，UC1845 主要包括：

　　5.0 V基準電壓源，高增益的誤差放大器，電流比較器，RS觸發(fā)器和欠壓鎖定電源電路。具有8腳封裝的UC1845芯片各引腳功能如下：腳l為誤差放大器輸出，用于環(huán)路補償；腳2是誤差放大器的反相輸入，通常通過一個電阻分壓器連至開關(guān)電源輸出，起電壓反饋作用，調(diào)整輸出的占空比，從而穩(wěn)定輸出電壓；腳3為電流取樣引腳，脈寬調(diào)制器使用此信息終止輸出開關(guān)的導通，保護開關(guān)管，避免過流損壞；腳4用于定時，通過時間電阻RT，連接至參考輸出引腳8以及時間電容CT 連接至地，使振蕩器頻率和最大輸出占空比可調(diào)，振蕩頻率為f=1.72 （RTCT ） ;腳5是控制電路和電源的公共地；腳6是輸出驅(qū)動開關(guān)管的方波引腳。為圖騰柱式輸出，可直接驅(qū)動功率管MOSFET的柵極；腳7 是控制集成電路的正電源（VCC）啟動電壓為8.4 V，最大輸出電流可以達到1 A，適合驅(qū)動MOSFET以及適用于中小功率的DC/DC開關(guān)電源；腳8是內(nèi)部基準電壓源產(chǎn)生5.0 V基準電壓，作為UC1845內(nèi)部電源，經(jīng)衰減得2.5 V電壓作為比較放大器基準，并可作為向外電路輸出5 V/50 mA的電源。UC1845還包括過壓、欠壓保護電路，當供電電源電壓低于7.6 V 時，芯片停止工作。

　　UC1845 具有很高的工作溫度范圍，可以在-65~150 ℃的范圍內(nèi)穩(wěn)定的工作，可滿足航天應用［3］。

　　4 主體電路設(shè)計

　　主體電路以雙管反激電路為總的系統(tǒng)框架，用UC1845芯片和相應的外圍電路構(gòu)成PWM控制器，反饋電路采用了磁隔離反饋，通過一個反饋控制量實現(xiàn)多路輸出，在輸出端配合應用低壓差三端穩(wěn)壓器，可以提高各路輸出負載穩(wěn)定度。

　　 UC1845芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖

　　4.1 反饋控制電路設(shè)計

　　在常用的隔離反饋技術(shù)中，航天方面選用磁反饋較光耦反饋要更為可靠和穩(wěn)定。相對于磁反饋而言，光耦反饋雖然更能達到所需的帶寬，且電路簡單、元件少，但在高溫下光耦的傳輸比（CTR）會變小，會導致運放飽和，使輸出電壓的反饋控制失效。磁反饋比光耦反饋壽命長，受溫度影響小?？馆椪漳芰?，故在航天方面選用磁反饋較光耦反饋要更為可靠和穩(wěn)定［4］。

　　本電路中控制電路圍繞脈寬調(diào)制器UC1845進行設(shè)計，采用滿足航天應用的磁隔離反饋技術(shù)。電路電壓采樣不是直接從輸出端采樣而是采用了磁隔離反饋技術(shù)。這種設(shè)計可以不借助啟動隔離電路而實現(xiàn)離線式輸出，線路簡單，但帶來的缺點是如果輸出端不使用低壓差三端穩(wěn)壓器負載調(diào)整率做不到很高，可以通過對變壓器的設(shè)計和對變壓器原邊電感的計算使其工作于臨界連續(xù)模式，可對輸出電壓負載調(diào)整率有一定改善；電流環(huán)采樣信號與自持電壓采樣反饋信號和基準電壓信號進行比較，得到誤差控制信號進行比較得到PWM 控制信號構(gòu)成了電流型控制雙環(huán)控制系統(tǒng)對開關(guān)功率管進行開關(guān)控制，實現(xiàn)閉環(huán)反饋控制。

　　UC1845啟動電壓在電路每次啟動時是通過啟動輔助供電電路降壓啟動，將PWM 電路的啟動工作電壓穩(wěn)定在10~12 V 范圍內(nèi)，使PWM 電路安全可靠地啟動并工作；在電源模塊正常工作后，由于雙管串聯(lián)反激電路主變壓器用于給PWM供電的自持繞組輸出電壓比降壓啟動輸出電壓略高，使得整流二極管被反向截止，該電路無輸出功率，而PWM 電路通過主變壓器自持繞組輸出電壓長期供電，這樣降低了電路功耗。

　　4.2 雙管反激式開關(guān)電源變壓器設(shè)計

　　此雙管反激式變壓器的繞制采用“三明治”式繞法，如圖4所示，即初級繞組先繞一半，再繞次級繞組，繞后再將初級繞組剩余的匝數(shù)繞完，將次級繞組包裹在里面，這樣漏感最小。且使輸出繞組和自持繞組并繞以實現(xiàn)最佳耦合效果。

　　變壓器繞制示意圖

　　反激式開關(guān)電源變壓器不同于其他雙極型變壓器，能量不僅要傳遞，還要在變壓器電感中儲存，并實現(xiàn)隔離作用，它實際作為一個變壓器-扼流圈發(fā)揮作用。因此變壓器設(shè)計也不同于其他電路，初級繞組電感值直接影響電路中的電壓、電流波形。

　　關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計：

　　由已知條件計算出總輸出功率，確定磁芯截面積S.

　　和磁芯工作磁感應強度ΔB，選擇合適的磁芯。

　　初級線圈的峰值電流：

　　式中，N1 是最小的初級匝數(shù)；Vmin 是最大的初級電流電壓（單位：V）；TON 是開關(guān)管Q1 的最大導通時間（單位：

　　μs）；B 是AC磁通密度變化的峰-峰值（單位：T），鐵氧體典型值為200 mT;Ae 為磁芯中心柱的有效面積（單位：

　　5 實驗結(jié)果

　　本文設(shè)計的適用于航天器用寬輸入電壓范圍的雙管串聯(lián)反激、磁隔離反饋、高穩(wěn)定三路輸出DC-DC變換器，電源輸入母線電壓范圍為60~120 V（標稱：100 V），輸出電壓為5 V/0.8 A、±12 V/0.3 A，額定輸出功率為11.2 W，典型效率為75%以上，輸出端使用低壓差三端穩(wěn)壓器的情況下，輸出電壓負載穩(wěn)定度優(yōu)于±1%.

　　5.1 開關(guān)電源輸出實驗結(jié)果

　　為了檢驗該開關(guān)電源的性能，對上述應用電路進行了性能測試。開關(guān)電源的電壓調(diào)整率、負載調(diào)整率、紋波和效率如表l所示（表中UPP為電壓峰峰值）。

　　測試數(shù)據(jù)及計算結(jié)果