AD5160工作原理
AD5160是一款256位、數(shù)字控制可變電阻(VR)器件。上電期間,內(nèi)部上電預(yù)設(shè)將游標(biāo)置于中間電平,簡化了上電時的故障狀況恢復(fù)。
可變電阻器操作
A端和B端間RDAC的標(biāo)稱電阻可以為5kΩ、10kΩ、50kΩ和100kΩ。在訂購指南部分列出的型號數(shù)字中,最后二到三位表示標(biāo)稱電阻值;例如,在型號AD5160BRJZ10中,10代表10kΩ;AD5160BRJZ50中,50代表50kΩ??勺冸娮璧臉?biāo)稱電阻(RAB)有256個觸點,通過游標(biāo)端和B端觸點訪問。RDAC鎖存器中的8位數(shù)據(jù)經(jīng)過解碼,用于選擇256種可能的設(shè)置之一。
假設(shè)使用一個10kΩ器件,對于數(shù)據(jù)0x00,游標(biāo)的首個連接從B端開始。由于存在一個60Ω游標(biāo)接觸電阻,這種連接導(dǎo)致W端和B端之間至少有60Ω電阻。
第二個連接是第一個抽頭點,數(shù)據(jù)0x01對應(yīng)電阻為99Ω(RWB=RAB/256+RW=39Ω+60Ω)。
第三個連接是下一個抽頭點,數(shù)據(jù)0x02對應(yīng)電阻為138Ω(2×39Ω+60Ω),以此類推。隨著每個LSB數(shù)據(jù)值的增加,游標(biāo)沿電阻梯向上移動,直至到達(dá)最終抽頭點位置,此時電阻達(dá)9961Ω(RAB?1LSB+RW)。圖39給出了一個簡化的等效RDAC電路框圖,該圖中最后那個電阻串未被訪問;因此,滿量程時除了游標(biāo)電阻,比標(biāo)稱電阻還要小1LSB。
確定W端和B端間的數(shù)字編程輸出電阻的通用公式是
其中:
D為載入8位RDAC寄存器的二進制代碼的十進制等效值。
RAB是端到端電阻。
RW是內(nèi)部開關(guān)導(dǎo)通電阻所分配的游標(biāo)電阻。
總之,如果RAB=10kΩ且A端處于開路狀態(tài),那么下列輸出電阻RWB為所示的RDAC鎖存器代碼而設(shè)置。
請注意:在零電平條件下,存在60Ω的有限游標(biāo)電阻。注意,此狀態(tài)下要限制端W和端B的電流流動,最大脈沖電流不能超過20mA。否則,內(nèi)部開關(guān)觸點會下降或可能毀壞。
與機械電位計相似,游標(biāo)W和A端間RDAC電阻也產(chǎn)生一個數(shù)字可控互補電阻(RWA)。這些端子使用過程中,B端可以斷開。RWA電阻值設(shè)置從最大電阻值開始,隨著鎖存器所加載的數(shù)據(jù)值增加而降低。此操作的通用公式是
如果RAB=10kΩ且B端處于開路狀態(tài),則下列輸出電阻RWA為所示的RDAC鎖存器代碼而設(shè)置。
典型器件間匹配依進程而定,變化幅度可高達(dá)±30%。由于電阻元件經(jīng)薄膜技術(shù)處理,RAB溫度系數(shù)為45ppm/°C,變化非常小。
2、電位計分壓器編程
電壓輸出操作
在游標(biāo)與B端和游標(biāo)與A端之間,數(shù)字電位計可輕松用作分壓器,與A端與B端間輸入電壓成正比。VDD到GND必須為正極,而A-B、W-A和W-B的電壓可以為任一極性。如果忽略游標(biāo)電阻作用,取近似效果,那么A端接至5V和B端接至地后,游標(biāo)與B端產(chǎn)生輸出電壓,從0V開始至5V以下1LSB。電壓每個LSB等于經(jīng)過256位電位分壓器分壓的A端與B端間的電壓。針對A端和B端間施加的任何有效輸入電壓,VW處相對于地的輸出電壓定義為
在分壓器模式下使用數(shù)字電位計,可提高整個溫度范圍內(nèi)的操作精度。與可變電阻模式不同,輸出電壓主要取決于內(nèi)部電阻之比(RWA與RWB),而不是絕對值。因此,溫度漂移降到15PPM/°C。
SPI兼容型三線式串行總線
AD5160內(nèi)置三線式SPI兼容型數(shù)字接口(SDI、CS和CLK)。8位串行字必須以MSB優(yōu)先方式加載。字格式如表6所示。正邊沿敏感CLK輸入需要干凈的躍遷以避免將錯誤數(shù)據(jù)輸入串行輸入寄存器。標(biāo)準(zhǔn)邏輯系列性能表現(xiàn)良好。若產(chǎn)品評估中需要用到機械開關(guān),可采用觸發(fā)器或其他合適的手段去抖。當(dāng)CS為低電平時,數(shù)據(jù)在每個正時鐘沿讀入串行寄存器(見圖37)。
有效時序要求取決于規(guī)格表內(nèi)的數(shù)據(jù)建立時間和數(shù)據(jù)保持時間。當(dāng)CS線路回到邏輯高電平時,AD5160使用傳輸?shù)絻?nèi)部RDAC寄存器的8位串行輸入數(shù)據(jù)寄存器字。多余的MSB位被忽略。
4、ESD保護
如圖40和41所示,所有數(shù)字輸入均受到串聯(lián)輸入電阻和并聯(lián)齊納ESD結(jié)構(gòu)保護。這也適用于數(shù)字輸入引腳SDI、CLK和CS。
5、上電順序
因為ESD保護二極管限制了A端、B端和W端的順從電壓,所以給A端、B端和W端施加任何電壓之前必須給VDD/GND供電;否則,二極管發(fā)生正向偏置,以致VDD意外上電,可能會影響用戶電路的其他方面。理想的上電順序如下:GND,VDD,數(shù)字輸入,然后是VA/B/W。只要在VDD/GND之后上電,VA、VB和VW和數(shù)字輸入的上電順序就無關(guān)緊要。
6、布局和電源旁路
采用緊湊、最小引線長度的布局設(shè)計是很好的做法。這樣可盡量做到直接輸入,實現(xiàn)最小導(dǎo)線長度。接地路徑應(yīng)具有低電阻、低電感。
同樣,采用優(yōu)質(zhì)電容將電源旁路達(dá)到最佳穩(wěn)定性也是最佳做法。可采用0.01μF至0.1μF的盤式或片式陶瓷電容實現(xiàn)器件電源旁路。為了盡可能減少瞬態(tài)干擾,并濾除低頻紋波,電源處應(yīng)運用低ESR1μF至10μF鉭或電解電容(見圖42)。若要盡可能降低接地反彈,可在單點處遠(yuǎn)程連接數(shù)字地和模擬地。
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