漏電起痕試驗儀與高壓漏電起痕試驗儀的區(qū)別

漏電起痕試驗儀和高壓漏電起痕試驗儀都是用來檢測絕緣材料某一物理性能的測試設(shè)備，但兩者所檢測的物理性能卻是不一樣的，因此兩者所依據(jù)的試驗標準也是不一樣的。接下來小編將為您詳述兩者之間的主要區(qū)別有哪些。

一、定義區(qū)別

高壓漏電起痕試驗儀是模擬在工頻（48Hz - 62Hz）下，用液體污染物和斜面試樣，通過耐電痕化和蝕損的測量評定在嚴酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料的耐電痕化和蝕損等級。其電痕化是指固體絕緣表面因局部區(qū)域的放電導致持續(xù)劣化并形成導電或部分導電通道。

漏電起痕試驗儀是模擬家用電器產(chǎn)品在實際使用中不同極性帶電部件在絕緣材料表面沉積的導電物質(zhì)是否引起絕緣材料表面爬電、擊穿短路和起火危險而進行的檢驗，從而測定其相比漏電起痕指數(shù)和耐漏電起痕指數(shù)。其電痕化是指在電應(yīng)力和電解雜質(zhì)的聯(lián)合作用下，固體絕緣材料表面和/或試樣內(nèi)部導電通道逐形成。

二、主要依據(jù)的國標標準區(qū)別

高壓漏電起痕試驗儀所依據(jù)的國標標準是GB/T6553-2014《嚴酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料評定耐電痕化和蝕損的試驗方法》，漏電起痕試驗儀所依據(jù)的國標標準是GB/T4207-2012《固體絕緣材料耐電痕化指數(shù)和相比電痕化指數(shù)的測定方法》，

三、試驗原理區(qū)別

漏電起痕試驗是在固體絕緣材料表面上，在規(guī)定尺寸(2mm×5mm) 的鉑電極之間，-施加某一電壓并定時(30s)定高度(35mm)滴下規(guī)定液滴體積的導電液體(0.1%NH 4CL)，用以評價固體絕緣材料表面在電場和潮濕或污染介質(zhì)聯(lián)合作用下的耐漏電性能，測定其相比電痕化指數(shù)(CT1) 和耐電痕化指數(shù)(PT1) 。

高壓漏電起痕試驗是在工頻（45 Hz~65 Hz）下，用液體污染物和斜面試樣，通過耐電痕化和蝕損測量評定在嚴酷環(huán)境條件下使用電氣絕緣材料的兩種試驗方法。在對電工電子產(chǎn)品、家用電器及其材料進行耐電痕化和蝕損的試驗，用液體污染物和斜面試樣，通過耐電痕化和蝕損的測量評定在嚴酷環(huán)境條件下使用的電氣絕緣材料的耐電痕化和蝕損等級。在電器產(chǎn)品受潮濕和雜質(zhì)環(huán)境的影響下，不同極性帶電部件之間或帶電部件與接地金屬之間可能會引起絕緣上的漏電，產(chǎn)生的電弧對電器造成擊穿短路或由于放電使材料電蝕損，甚至起燃導致火災(zāi)。本試驗儀就是模擬上述情況對絕緣材料進行的一種破壞性試驗，用以測量和評定在規(guī)定電壓下，絕緣體在電場和含雜質(zhì)水的作用時的相對耐漏電起痕性

四、試驗電路區(qū)別

漏電起痕試驗的電路原理是在電極上施加正選波電壓，其在100V~600V之間變化，頻率為48Hz~62Hz，電壓測量裝指示一真有效值，最大誤差為1.5%。電源功率應(yīng)不小于0.6kVA，試驗電路圖如圖1所示?？勺?a target="_blank">電阻器應(yīng)能調(diào)節(jié)電極之間的短路電流到1.0A±0.1A，且在此電流下，電壓表上指示的電壓下降應(yīng)不超過10%，短路電流的測量裝置最大誤差為±3%。試驗裝置輸入電源電壓應(yīng)足夠穩(wěn)定。當電流有效值為0.5A，其相對公差為±10%，持續(xù)2.00s，器相對公差為±10%時，過電流應(yīng)動作。

高電壓起痕試驗的電路原理是：由于試驗在高壓下進行，應(yīng)使用安全欄安全接觸，電路組成如下所述。電源頻率為45Hz~65Hz，輸出電壓可調(diào)到約6kv，并穩(wěn)定在±5%，對于每個試樣的額定電流應(yīng)不小于0.1A。對方法，優(yōu)先采用的試驗電壓為2.5kv、3.5kv和4.5kv。

五、試驗所用電極材質(zhì)區(qū)別

高壓漏電起痕試驗所有的電極、固緊裝置以及電極相連的裝配件。漏電起痕試驗所使用的電極應(yīng)使用最小純度為99%的鉑金電極，兩電極間兩電極應(yīng)有一橫截面（5±0.1）mm，有30°±2°斜面，斜面的刃近似為平面約0.01mm±0.1mm寬。

六、試驗試樣尺寸區(qū)別

漏電起痕試驗的試樣可采取任何表面非常平的試樣，只要其表面足夠，確保試驗時無液體流出邊緣即可。注：盡管可采用更小的尺寸，但推薦平面尺寸應(yīng)不小于30mm*20mm，以減少電解液流出試樣邊緣損失。試樣厚度應(yīng)為3mm或更厚，每一材料試樣可重疊以獲得至少3mm的厚度。高壓漏電起痕試驗的試樣尺寸面積為50mm*120mm，厚度為6mm

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