羅德與施瓦茨FSVA3030頻譜分析儀 FSVA3013主要特點頻率范圍介于 10 Hz 至 4/7.5/13.6/30/44 GHz分析帶寬高達(dá) 400 MHz10
2025-12-22 11:40:29
領(lǐng)域提供先進、有競爭力的窄帶無線物聯(lián)網(wǎng)接入技術(shù)和全套系統(tǒng)解決方案。
道生物聯(lián)TKB-623評估板大功率
TK8620 模組評估板是為方便測試與評估 TKM-210 大功率模組性能和
功能而設(shè)計的??芍苯?/div>
2025-11-07 22:59:30
,同時接收衛(wèi)星信號和基站發(fā)送的差分?jǐn)?shù)據(jù),通過 RTK 算法解算獲得厘米級定位結(jié)果。核心功能:衛(wèi)星信號接收、TK8620 模組接收差分?jǐn)?shù)據(jù)接收(與基站頻段匹配)、實時相位解算與定位輸出 數(shù)據(jù)鏈路
2025-11-06 22:05:50
數(shù)據(jù)采集、控制等領(lǐng)域的無線傳輸。
TK8620 有四種工作狀態(tài),分別是啟動,待機,收發(fā)和休眠。
這是基本介紹信息,另外還有開發(fā)板的資料,我打包成一個文件夾放在下面,期待后續(xù)的開發(fā)。
1、快速開發(fā)指南:*附件
2025-10-22 23:47:28
TurMass? TK8620 開發(fā)平臺 2.0 介紹:*附件:TurMass? TK8620 開發(fā)平臺 2.0 介紹.pdf
要了解芯片和模組的信息,看前2個文檔即可。
要了解開發(fā)板的信息,看第3個文檔。
這個
2025-10-15 21:39:46
### 一、NCE3030K-VB 產(chǎn)品簡介 NCE3030K-VB 是一款采用 **TO252 封裝**的 **單 N-溝道 MOSFET**,專為高效能和高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件
2025-10-13 17:10:47
### 產(chǎn)品簡介(K3030-VB)K3030-VB是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用TO252封裝,專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計。該器件的漏源電壓(VDS)為100V,柵源電壓(VGS)范圍為
2025-09-30 11:31:10
羅德與施瓦茨FSV3030信號頻譜分析儀 R&S羅德與施瓦茨FSV3030信號頻譜分析儀 產(chǎn)品信息: FSV3000 信號與頻譜分析儀 產(chǎn)品型號
2025-09-29 10:40:28
### TK9A60D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK9A60D-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為處理高電壓和大電流的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET
2025-09-22 13:49:17
### 產(chǎn)品簡介:**TK9A55DA-VB** 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓功率應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的漏源電壓(VDS)為 650V
2025-09-22 13:46:45
### TK9A45D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK9A45D-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計,具有 650V 的最大漏極源電壓
2025-09-22 13:39:55
### 產(chǎn)品簡介**TK8A60DA-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 型 MOSFET,具有 **650V** 的耐壓(VDS)和 **30V** 的最大柵源電壓(VGS
2025-09-22 11:57:54
### 產(chǎn)品簡介:TK8A55DA-VBTK8A55DA-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓和高功率應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 提供了 650V 的漏源
2025-09-22 11:52:40
### 產(chǎn)品簡介:TK8A45D-VB MOSFETTK8A45D-VB 是一款單極 N 通道功率 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高電壓、高電流的電源管理和功率控制應(yīng)用。其最大漏源
2025-09-22 11:50:53
### TK8A45DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK8A45DA-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,適用于高電壓、大電流的開關(guān)應(yīng)用。該 MOSFET
2025-09-22 11:48:36
### 產(chǎn)品簡介:TK7A65D-VB MOSFETTK7A65D-VB 是一款單極 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓電源和功率管理系統(tǒng)設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為
2025-09-22 11:46:42
### TK7A60W-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK7A60W-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,基于 Plannar 技術(shù)設(shè)計,專為高壓、大電流應(yīng)用提供優(yōu)異
2025-09-22 11:34:28
### 產(chǎn)品簡介:**TK7A55D-VB** 是一款高耐壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高電壓和高可靠性的功率管理應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為 650V
2025-09-22 11:32:40
### TK7A50D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK7A50D-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,專為高電壓、大電流應(yīng)用而設(shè)計。該 MOSFET 具有
2025-09-22 11:29:13
### 1. **產(chǎn)品簡介** TK7A45DA-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和最大7A的漏極電流(ID)。該
2025-09-22 11:22:45
### TK6A60W-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**TK6A60W-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的 **單極N通道** MOSFET,專為中到高電壓應(yīng)用設(shè)計。它的 **VDS
2025-09-22 11:17:08
### 產(chǎn)品簡介**TK6A60-VB** 是一款 **TO220F** 封裝的 **N 型單極功率 MOSFET**,采用 **Plannar** 技術(shù),具有 **650V** 的最大漏極源電壓
2025-09-22 11:15:02
### 產(chǎn)品簡介**TK6A60D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 型 MOSFET,具有 **650V** 的耐壓(VDS)和 **30V** 的最大柵源電壓(VGS
2025-09-22 11:12:20
### 產(chǎn)品簡介:TK6A55DA-VBTK6A55DA-VB 是一款具有 650V 漏源耐壓的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高電壓應(yīng)用,尤其適合用于功率轉(zhuǎn)換、電源管理
2025-09-22 11:10:19
### 產(chǎn)品簡介:TK6A55DATA4-VB MOSFETTK6A55DATA4-VB 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,設(shè)計用于高壓電源和功率管理應(yīng)用。該
2025-09-22 11:07:16
### TK6A53DTA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK6A53DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,采用平面(Plannar)技術(shù),專為高電壓和中等
2025-09-22 11:03:18
### 產(chǎn)品簡介:**TK6A50D-VB** 是一款高耐壓、低導(dǎo)通電阻的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓、高可靠性的功率應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏
2025-09-22 10:58:01
### TK6A50DTA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK6A50DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,適用于高電壓、大電流的功率開關(guān)應(yīng)用。其最大漏源
2025-09-22 10:55:30
### 1. **產(chǎn)品簡介** TK6A45DA-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和最大7A的漏極電流(ID)。該
2025-09-22 10:49:51
### 產(chǎn)品簡介 **TK6A45DATA4-VB** 是一款單N溝MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的高耐壓能力,專為高壓電源管理和功率控制應(yīng)用設(shè)計。該MOSFET的最大
2025-09-22 10:37:30
### 產(chǎn)品簡介**TK5A65DA-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的 **N 型單極功率 MOSFET**。該 MOSFET 具有 **650V** 的最大漏極源電壓(VDS
2025-09-22 10:35:42
### 產(chǎn)品簡介:TK5A60DTA4-VBTK5A60DTA4-VB 是一款高耐壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的漏源耐壓(V_DS)和最大漏極電流 7A。該
2025-09-22 10:32:32
### 產(chǎn)品簡介:TK5A60DTA4-VBTK5A60DTA4-VB 是一款高耐壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的漏源耐壓(V_DS)和最大漏極電流 7A。該
2025-09-22 10:23:32
### TK5A53DTA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK5A53DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,采用平面(Plannar)技術(shù),具備高達(dá)
2025-09-22 10:15:07
### 產(chǎn)品簡介:**TK5A50D-VB** 是一款高耐壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的最大漏源電壓(VDS)為 650V
2025-09-22 10:08:30
### TK5A45DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK5A45DA-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,設(shè)計用于中高電壓功率開關(guān)應(yīng)用。該型號的最大漏極源電壓
2025-09-22 10:04:09
### 1. **產(chǎn)品簡介** TK5A45DATA4-VB是一款單N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,具有650V的漏極-源極電壓(VDS)和最大4A的漏極電流(ID)。該
2025-09-19 17:56:57
### TK4A65DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK4A65DA-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,具有 650V 的最大漏極源電壓(VDS)和 ±30V
2025-09-19 17:54:55
### 產(chǎn)品簡介 **TK4A60DB-VB** 是一款高電壓單N溝MOSFET,采用TO220F封裝,廣泛應(yīng)用于高壓電源管理和功率控制領(lǐng)域。其最大漏極-源極電壓(VDS)為650V
2025-09-19 17:49:18
### TK4A60DA-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**TK4A60DA-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的 **單極N通道** MOSFET,專為高電壓應(yīng)用設(shè)計,具有
2025-09-19 17:46:03
### 產(chǎn)品簡介**TK4A55D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 型功率 MOSFET,具有 **650V** 的耐壓能力,適用于高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 MOSFET
2025-09-19 17:43:42
### 產(chǎn)品簡介:TK4A55DTA4-VBTK4A55DTA4-VB 是一款具有高電壓耐受能力的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝。該型號具有 650V 的漏源耐壓(V_DS
2025-09-19 17:41:14
### 產(chǎn)品簡介:TK4A55DA-VB MOSFETTK4A55DA-VB 是一款單極 N 通道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET),采用 TO220F 封裝。該 MOSFET 具有
2025-09-19 17:38:48
### TK4A55DATA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK4A55DATA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極性 N 通道 MOSFET,采用平面(Plannar)技術(shù),具有較高的漏
2025-09-19 17:35:35
### 產(chǎn)品簡介:**TK4A53D-VB** 是一款高耐壓 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封裝,專為高壓功率轉(zhuǎn)換和電力電子應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為 650V
2025-09-19 17:33:34
### TK4A53DTA4-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK4A53DTA4-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,專為中等功率應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的最大
2025-09-19 17:31:36
### 產(chǎn)品簡介**TK4A50D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 型 MOSFET,具有 **650V** 的耐壓(VDS),專為高壓開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。此產(chǎn)品采用 **平面
2025-09-19 17:25:30
### TK40A08K3-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK40A08K3-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 溝道功率 MOSFET,具有高達(dá) 650V 的漏極源電壓(VDS
2025-09-19 17:23:21
### TK3A65D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**TK3A65D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的 **單極N通道** MOSFET,特別適用于需要高電壓承受能力和穩(wěn)定開關(guān)
2025-09-19 17:21:14
### 產(chǎn)品簡介**TK3A65DA-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 型功率 MOSFET,具有 **650V** 的耐壓能力,適用于高壓電源和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該型號的柵源
2025-09-19 17:19:09
### 產(chǎn)品簡介:TK3A60DA-VBTK3A60DA-VB 是一款高電壓 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的漏源耐壓 (V_DS) 和最大漏極電流 4A。該
2025-09-19 17:16:51
### 產(chǎn)品簡介**TK2A65DTA4-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的單極 N 型功率 MOSFET。該型號的工作電壓(Vds)為 **650V**,適用于高壓應(yīng)用。它
2025-09-19 17:12:57
### TK12A65D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK12A65D-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 型 MOSFET,適用于高電壓和中功率開關(guān)電路,具有 650V 的漏源電壓
2025-09-19 16:58:59
**TK12A53D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介**TK12A53D-VB是一款高壓N通道MOSFET,封裝為TO220F,專為高電壓應(yīng)用而設(shè)計,具有650V的漏源電壓(VDS)。該MOSFET
2025-09-19 16:57:04
### TK11A65D-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK11A65D-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 型 MOSFET,具有 650V 的耐壓能力,最大漏極電流為 12A,適用于
2025-09-19 16:54:36
### 產(chǎn)品簡介:**TK11A60D-VB** 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,最大漏源電壓(VDS)為 650V,最大漏電流(ID)為 12A,適用于高電壓和中等
2025-09-19 16:51:47
### 產(chǎn)品簡介**TK11A55D-VB** 是一款高耐壓單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,專為中高功率電源應(yīng)用設(shè)計。其最大漏源電壓(VDS)為650V,能夠在高電壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。該
2025-09-19 16:49:14
### 產(chǎn)品簡介:TK11A45D-VB MOSFET**TK11A45D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封裝的 **單 N 通道 MOSFET**,具備 **650V** 的漏源電壓
2025-09-19 16:47:27
### TK10A60W5-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK10A60W5-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 型 MOSFET,專為高電壓、大電流的開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的最大
2025-09-19 16:45:11
### 產(chǎn)品簡介:**TK10A60D-VB** 是一款高性能單 N 通道 MOSFET,采用 **TO220F** 封裝,適用于高電壓、高功率開關(guān)應(yīng)用。其最大漏源電壓(VDS)為 650V,最大
2025-09-19 16:43:02
### TK10A60DR-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介TK10A60DR-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 型 MOSFET,適用于中高壓電源應(yīng)用。它具有 650V 的漏源電壓
2025-09-19 16:40:54
### 產(chǎn)品簡介**TK10A60D5-VB** 是一款采用Plannar技術(shù)的單極N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,設(shè)計耐壓為650V,最大漏極電流為12A。該產(chǎn)品具有3.5V的閾值電壓
2025-09-19 16:38:42
### 產(chǎn)品簡介:**TK10A55D-VB** 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封裝,具有 650V 的最大漏源電壓(VDS)和 12A 的最大漏電流(ID)。該產(chǎn)品
2025-09-19 16:36:14
### 產(chǎn)品簡介:**TK10A50D-VB** 是一款高耐壓的單N通道MOSFET,采用TO220F封裝,適用于高電壓電力管理系統(tǒng)。其最大漏源電壓(VDS)為650V,最大漏極電流(ID)為12A
2025-09-19 16:31:36
### 一、產(chǎn)品簡介K3049TK5A60-VB是一款高性能N溝道MOSFET,采用TO220F封裝,專為高壓應(yīng)用設(shè)計。其漏源極電壓(VDS)高達(dá)650V,最大柵極電壓(VGS)為±30V,適合
2025-09-11 15:22:22
在高危作業(yè)場景中,人員安全防護始終是核心命題。隨著北斗衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)的持續(xù)演進與AIoT技術(shù)的深度融合,傳統(tǒng)安全帽正經(jīng)歷智能化蛻變。廣西海卓科技的 北斗高精度智能安全帽HIZ-SD-TK 應(yīng)運而生,以
2025-09-04 11:40:47
955
如何使 ML56-TK 驅(qū)動程序適應(yīng) Linux 內(nèi)核
2025-08-20 07:57:24
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2025-08-07 06:01:40
投影系統(tǒng)等應(yīng)用。Texas Instruments DLP3030Q1EVM的主要功能塊包括DLP3030-Q1芯片組、LED控制和驅(qū)動電路以及電源管理。
2025-08-03 16:07:21
1007 
Texas Instruments DLP3030PGUQ1EVM PGU評估模塊 (EVM) 是一款汽車圖像生成單元(PGU),設(shè)計用于支持高性能寬視場增強現(xiàn)實平視顯示器 (HUD
2025-08-03 15:55:24
1028 
FSV3030|羅德與施瓦茨FSV3030信號與頻譜分析儀R&S FSV3000 信號與頻譜分析儀在即時設(shè)置復(fù)雜測量方面具有顯著優(yōu)勢,可以一鍵進行測量,并通過基于事件的操作捕獲罕見事件,以及
2025-08-01 16:37:48
TK1040兼容替代TAJ1040T, TK3232完全替代MAX3232,歡迎工程師試用。免費試樣和技術(shù)支持
2025-07-02 11:14:09
1080 TK3232一款無縫替換MAX3232E的產(chǎn)品,給RS232接口國產(chǎn)化提供一個新路徑。
2025-07-02 11:07:24
916 
羅德與施瓦茨FSVA3030頻譜分析儀羅德與施瓦茨FSVA3030頻譜分析儀FSVA3013主要特點 JIANG頻率范圍介于 10 Hz 至 4/7.5/13.6/30/44 GHz分析
2025-05-19 10:20:48
引言:
最近想使用本開發(fā)套件來預(yù)研一個無線傳輸?shù)漠a(chǎn)品測試平臺。所以準(zhǔn)備把之前的例程移植到HAL庫。移植之后,準(zhǔn)備把開發(fā)板上的所有按照原理圖的標(biāo)注全部驅(qū)動起來,再增加定時器等功能。因為需要更高效且更
2025-04-30 00:47:20
接上一報告,我向TK8260模組燒錄了自己編譯的固件,結(jié)果無法正常運行,聯(lián)系廠家,廠家說沒有燒錄bootloader所致,bootloader在以下位置:
如果只燒錄應(yīng)用,不燒錄bootloader
2025-04-28 21:06:32
得非常好。感謝道生物聯(lián)和電子發(fā)燒友論壇提供這么好的測試開發(fā)板用來測試TurMass? TK8620。
?軟件功能測試?
上電后,發(fā)現(xiàn)開發(fā)板是有預(yù)先燒錄的整套測試程序,所以先根據(jù)說明書,進行脫機連線
2025-04-24 02:40:39
的外觀
??這是我收到的最靚的開發(fā)板了,一對,天線和顯示屏都很齊全。還包裝得非常好。感謝道生物聯(lián)和電子發(fā)燒友論壇提供這么好的測試開發(fā)板用來測試TurMass? TK8620。
?軟件功能測試?
上電后
2025-04-24 02:18:57
一、IDE環(huán)境搭建
1.簡介
TK8620內(nèi)部有一個集成芯來科技高效的 N205(RISC-V)內(nèi)核,TK8620 通過 CHIP_MODE 管腳來選擇工作模式: 1/懸空, 表示
2025-04-19 00:19:56
TK8620?芯片基于道生物聯(lián)全球領(lǐng)先的?TurMass??技術(shù)打造,從底層協(xié)議到射頻設(shè)計均實現(xiàn)?100%?自主知識產(chǎn)權(quán)。該芯片專為物聯(lián)網(wǎng)海量連接場景優(yōu)化,支持超低功耗、廣域覆蓋與大容量并發(fā)通信,可無縫適配現(xiàn)有?LoRa?生態(tài)設(shè)備,同時性能全面超越傳統(tǒng)方案,成為國產(chǎn)替代的首選。
2025-04-11 15:42:43
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一.開發(fā)板硬件原理了解
感謝道生物聯(lián)提供的開發(fā)板套件,得以有此次LPWAN(低功耗廣域網(wǎng))技術(shù) — TurMass的接觸試用體驗。套件有兩塊TK8620開發(fā)板,并各配有吸盤天線、USB-TypeC線
2025-04-05 18:12:14
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS7428TE/LTS7428TK N溝道增強型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-03-24 11:17:55
0 TK1040高速低功耗CAN總線收發(fā)器,性能卓越,12KV ESD保護,完美替代TJA1040
2025-03-20 15:48:24
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銀月光科技推出最新紅光激光產(chǎn)品——P3030P1VIRS26G025-660nm激光燈珠,針對第一代紅光LED和第二代紅光EEL的不足進行了全面升級,提供更集中的光束、更優(yōu)秀的光效、更輕巧的設(shè)計和更優(yōu)秀的用戶體驗。
2025-03-18 09:59:28
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FSV3030Rohde&Schwarz FSV3030 30G頻譜分析儀/信號分析儀|9KHz至30GHz德國羅德與施瓦茨 | ROHDE&SCHWARZ | R&
2025-03-13 17:42:47
FSVA3030FSV信號與頻譜分析儀FSV40信號分析儀FSVA3030主要特點頻率范圍高達(dá)3.6 GHz / 7 GHz / 13.6GHz / 30GHz。40 MHz信號分析帶寬7 GHz
2025-03-10 11:34:20
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LTS4008TE/LTS4008TK N溝道增強型功率MOSFET數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2025-03-01 17:13:19
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請幫忙提供DLP3030 的底層驅(qū)動firmware
2025-02-20 08:11:41
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8037-1 DFN3030-10:無引線塑料封裝.pdf》資料免費下載
2025-02-19 17:06:35
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SOT8037-1DFN3030 SMD卷盤包裝.pdf》資料免費下載
2025-02-19 16:22:46
0 產(chǎn)品概述:TKB-620是一款基于TK8620無線終端芯片的開發(fā)評估板,方便用戶快速的了解、測試芯片的功能和性能。TKB-620可以直接通過USB和AT指令,進行數(shù)據(jù)收發(fā)和性能測試,也可以使用IDE開發(fā)環(huán)境和SDK,進行嵌入式軟件評估和開發(fā)。(詳情見下載資料)
2025-02-18 13:28:21
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DLP3030EVM買回來連接ACP,顯示有報錯,左側(cè)控制條目和用戶手冊也不一樣,不知道是什么原因
2025-02-17 08:28:12
您好,請問有關(guān)于DLPC120控制芯片的開發(fā)板有哪些,是推薦購買DLP3030Q1EVM這款嗎,謝謝
2025-02-17 07:20:58
FSVA3030FSV信號與頻譜分析儀FSV40信號分析儀FSVA3030主要特點頻率范圍高達(dá)3.6 GHz / 7 GHz / 13.6GHz / 30GHz。40 MHz信號分析帶寬7 GHz
2025-01-17 10:17:58
FSV3030Rohde&Schwarz FSV3030 30G頻譜分析儀/信號分析儀|9KHz至30GHz德國羅德與施瓦茨 | ROHDE&SCHWARZ | R&
2025-01-15 10:00:59
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