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輕觸開(kāi)關(guān)主要規(guī)格及影響因素

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2025-02-17 14:51:230

74CBTLVD3384電平轉(zhuǎn)換總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-17 14:50:400

74CBTLVD3861具有輸出使能功能的10位電平轉(zhuǎn)換總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-17 14:48:570

74CBTLV3306總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-17 14:48:050

74CBTLV3245-Q100具有輸出使能的8位總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-17 14:47:130

74CBTLV1G125單總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-17 14:46:050

CBT3306雙總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-14 15:40:350

BAS16LD-Q單個(gè)高速開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-14 15:24:320

驅(qū)動(dòng)板的參數(shù)配置需要考慮哪些因素

驅(qū)動(dòng)板的參數(shù)配置是一個(gè)復(fù)雜且關(guān)鍵的過(guò)程,涉及多個(gè)方面。以下是一些主要的參數(shù)配置步驟和考慮因素。
2025-02-14 14:53:22855

CBTD3384電平轉(zhuǎn)換總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-13 16:32:230

CBTD3384-Q100電平轉(zhuǎn)換總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-13 14:23:210

CBTD3306帶電平轉(zhuǎn)換的雙總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-13 11:24:550

BAS21AVD-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-12 16:12:210

MMBT3906-Q PNP開(kāi)關(guān)晶體管規(guī)格書(shū)

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2025-02-12 14:51:060

BAS21PG-Q雙隔離高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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BAS21H-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 17:25:070

BAS21GW-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 16:09:210

BAS21QA-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 15:34:160

BAS21TH-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 15:33:120

BAS21W-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 15:26:200

BAS521B-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 14:30:460

NPS4001負(fù)載開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 14:21:040

NPS4069負(fù)載開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-11 14:18:200

74LV4066四路雙向開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 16:13:320

74CBTLV3126-Q100 4位總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 15:03:180

74CBTLV3126 4位總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 15:02:270

74CBTLV3125-Q100 4位總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 15:01:400

74CBTLV3125 4位總線(xiàn)開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 15:00:100

MMBT3904 NPN開(kāi)關(guān)晶體管規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 14:55:480

MMBT3906 PNP開(kāi)關(guān)晶體管規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 14:47:490

BAS19-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-10 14:03:570

BAV70QB高速開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 16:42:430

BAV70QB-Q雙共陰極高速開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 16:25:090

74LV4053三重單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 11:46:190

74LV4053-Q100三路單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 11:43:320

BAS101S高壓開(kāi)關(guān)雙二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 10:58:100

BAS101-Q高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 10:55:260

BAS101S-Q高壓開(kāi)關(guān)雙二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 10:54:430

BAS101高壓開(kāi)關(guān)二極管規(guī)格書(shū)

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2025-02-09 10:52:210

74HCT4316-Q100四路單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-08 15:20:150

74HC4316;74HCT4316四路單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-08 15:19:250

74LV4052雙通道單刀四擲模擬開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-08 14:27:250

NPS1000負(fù)載開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-08 14:24:410

74HC4066;74HCT4066四路單刀單擲模擬開(kāi)關(guān)規(guī)格書(shū)

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2025-02-07 15:45:343

如何理解射頻開(kāi)關(guān)IC規(guī)格書(shū)中定義的開(kāi)關(guān)時(shí)間 Switching Time

等指標(biāo)外,還有一個(gè)較為重要的指標(biāo)switching time,以日清紡微電子的車(chē)規(guī)SPDT開(kāi)關(guān)NJG1801BKGC-A為例,其規(guī)格書(shū)標(biāo)稱(chēng)開(kāi)關(guān)時(shí)間在100ns左右。 除了switching time
2025-02-06 16:47:291421

影響電解電容壽命的因素有哪些

引言 電解電容廣泛應(yīng)用在電力電子的不同領(lǐng)域,主要是用于平滑、儲(chǔ)存能量或者交流電壓整流后的濾波,另外還用于非精密的時(shí)序延時(shí)等。在開(kāi)關(guān)電源的MTBF預(yù)計(jì)時(shí),模型分析結(jié)果表明電解電容是影響開(kāi)關(guān)電源壽命
2025-01-28 15:47:004373

PMST3904 NPN開(kāi)關(guān)晶體管規(guī)格書(shū)

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2025-01-24 13:40:500

影響信道質(zhì)量的主要因素分析

一、信號(hào)衰減 信號(hào)衰減是影響信道質(zhì)量的首要因素。信號(hào)在傳輸過(guò)程中會(huì)因?yàn)榻橘|(zhì)的損耗而逐漸減弱。這種損耗與信號(hào)的頻率、傳輸距離以及介質(zhì)的特性有關(guān)。例如,無(wú)線(xiàn)信號(hào)在穿過(guò)建筑物或障礙物時(shí)會(huì)遭遇反射、折射
2025-01-22 17:18:512253

FWH-HM8/02接近開(kāi)關(guān)的檢測(cè)距離是多少

接近開(kāi)關(guān)的檢測(cè)距離是一個(gè)因多種因素而異的參數(shù)。在選擇和使用接近開(kāi)關(guān)時(shí),需要仔細(xì)考慮其型號(hào)規(guī)格、被檢測(cè)物體的特性以及系統(tǒng)要求等因素,以確保其能夠滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用的需求。
2025-01-21 16:24:14759

影響電磁波譜的外部因素

電磁波譜是指不同頻率和波長(zhǎng)的電磁波的集合,它們?cè)谧匀唤绾腿嗽煸O(shè)備中廣泛存在。電磁波譜包括從低頻的無(wú)線(xiàn)電波到高頻的伽馬射線(xiàn)等多種類(lèi)型的電磁波。影響電磁波譜的外部因素有很多,以下是一些主要因素: 大氣
2025-01-20 16:52:251707

CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除

本文介紹了CVD薄膜質(zhì)量的影響因素及故障排除。 CVD薄膜質(zhì)量影響因素 以下將以PECVD技術(shù)沉積薄膜作為案例,闡述影響薄膜品質(zhì)的幾個(gè)核心要素。 PECVD工藝質(zhì)量主要受氣壓、射頻能量、襯底溫度
2025-01-20 09:46:473313

UPS電源續(xù)航能力影響因素

UPS(不間斷電源)是現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、家庭等環(huán)境中不可或缺的電源保護(hù)設(shè)備,它能夠在市電中斷時(shí)提供臨時(shí)電力,保障關(guān)鍵設(shè)備的正常運(yùn)行。然而,UPS的續(xù)航能力受到多種因素的影響,以下是一些主要
2025-01-19 10:03:521536

法拉電容的電壓規(guī)格選擇

的常見(jiàn)電壓規(guī)格 法拉電容的常見(jiàn)電壓規(guī)格包括2.5V、2.7V、3V、3.5V、5.5V等。這些不同的電壓規(guī)格適用于不同的電子設(shè)備和應(yīng)用場(chǎng)景。 二、電壓規(guī)格的選擇因素 應(yīng)用需求 : 電荷存儲(chǔ)量 :根據(jù)應(yīng)用需要存儲(chǔ)的電荷量來(lái)選擇適當(dāng)?shù)碾妷?b class="flag-6" style="color: red">規(guī)格。
2025-01-19 09:23:172715

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