數(shù)字萬用表測量晶體管直流放大倍數(shù)時,不用接表,轉(zhuǎn)動測量選擇開關(guān)值“hFE”檔位,將被測晶體管插入晶體管插孔,LCD顯示屏可顯示出被測晶體管的直流放大倍數(shù)。
2022-12-26 09:42:49
4450 達林頓晶體管(Darlington Transistor)也稱為達林頓對(Darlington Pair),是由兩個或更多個雙極性晶體管(或其他類似的集成電路或分立元件)組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu),第一個雙極性晶體管放大的電流可以進一步被放大,從而提供比其中任意一個雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53
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規(guī)范的產(chǎn)品通常由硅制成,并作為推挽式應(yīng)用系統(tǒng)的一部分運行。這些晶體管和其他晶體管如何在電化學(xué)水平上工作的機制可能有些復(fù)雜,但總的來說,它們用一系列極化離子引導(dǎo)和引導(dǎo)電荷。它們通常與放大器電路配合使用;在
2023-02-16 18:22:30
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時,當(dāng)需要非常大的電流時,可以將幾個晶體管并聯(lián)使用。因為存在VBE擴散現(xiàn)象,有必要在每一個晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個小電阻。電阻R用以保證流過每個晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性:就三極管,mos管和可控硅之間的差別和相同點的相關(guān)概念有點模糊,請各位大俠指點?。?!
2016-06-07 23:27:44
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管。 按結(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
本帖最后由 gongddz 于 2017-3-29 09:06 編輯
晶體管作為電流單方向通過的電子開關(guān)使用晶體管也可以作為電子開關(guān)使用。但這個開關(guān)的電流方向只能是單向的,pnp型管和npn型
2017-03-28 15:54:24
、電壓/電流反饋放大電路、晶體管/FET開關(guān)電路、模擬開關(guān)電路、開關(guān)電源、振蕩電路等。上冊則主要介紹放大電路的工作、增強輸出的電路、功率放大器的設(shè)計與制作、拓寬頻率特性等。`
2019-03-06 17:29:48
三極管功率會先上升后下降,因為電壓降在下降而電流在上升。功率最大點在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平,集射極電壓降低到不能再降的程度時,晶體管進入飽和,此時無論基射極電流如何增大,集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學(xué)和工程中通過使用圖示儀,可以獲得晶體管的實際特性,能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
1.反向擊穿電流的檢測 普通晶體管的反向擊穿電流(也稱反向漏電流或穿透電流),可通過測量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測。測量時,將萬用表置于R×1k檔, NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)?有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外,不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變?
2014-02-28 08:42:03
我有臺晶體管測試儀:WQ4832,但是剛買的二手機,不會用,不知道有沒有高手能指導(dǎo)指導(dǎo)?
2011-10-21 08:57:17
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
`非常不錯的晶體管電路設(shè)計書籍!`
2016-11-08 14:12:33
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-3 21:31 編輯
圖解實用電子技術(shù)叢書---晶體管電路設(shè)計與制作,黑田徹著aTeastaEdaitaTeastaEdait
2013-11-01 17:14:06
晶體管電路設(shè)計與制作
2018-10-06 09:54:46
《晶體管電路設(shè)計與制作》是“圖解實用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計和制作進行詳細(xì)敘述;然后利用可在微機上使用的模擬器“SPICE”對設(shè)計的結(jié)果進行模擬?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計與制作》中介
2018-01-15 12:46:03
這本書介紹了晶體管的基本特性,單管電路的設(shè)計與制作, 雙管電路的設(shè)計與制作,3~5管電路的設(shè)計與制作,6管以上電路的設(shè)計與制作。書中具體內(nèi)容有:直流工作解析,交流工作解析,接地形式,單管反相放大器,雙管反相放大器,厄利效應(yīng),雙管射極跟隨器等內(nèi)容。
2025-02-26 19:55:46
晶體管電路設(shè)計與制作
2019-01-08 15:56:45
的設(shè)計,運算放大電路的設(shè)計與制作。下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。本書面向?qū)嶋H需要,理論聯(lián)系實際,通過大量具體的實驗,通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識。1.1 學(xué)習(xí)晶體管電路
2009-11-20 09:41:18
晶體管,F(xiàn)ET和IC,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨器電路設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計與制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋型OP放大器的設(shè)計與制作,進晶體管
2025-04-14 17:24:55
本書主要介紹了晶體管,F(xiàn)ET和Ic,F(xiàn)ET放大電路的工作原理,源極接地放大電路的設(shè)計,源極跟隨電路的設(shè)計,F(xiàn)ET低頻功率放大器的設(shè)計和制作,柵極接地放大電路的設(shè)計,電流反饋行型op放大器的設(shè)計與制作
2025-03-07 13:55:19
無量綱的比例系數(shù)。hfe稱為輸出端交流短路時的電流放大系數(shù),簡稱電流放大系數(shù)。它反映基極電流IB對集電極電流IC的控制能力,即晶體管的電流放大能力,是一個無量綱的數(shù),習(xí)慣上用β表示。 hoe稱為輸入端
2021-05-13 07:56:25
是晶體管的直流電流放大系數(shù),是指在靜態(tài)(無變化信號輸入)情況下,晶體管IC與IB的比值。即hFE=IC/IB。一般情況下β和hFE較為接近,也可相等,但兩者含義是有明顯區(qū)別的,而且在許多場合β并不
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些?晶體管的開關(guān)電路是怎樣的?
2021-06-07 06:25:09
(電阻器)組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此,晶體管也俗稱"石",設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求,ROHM在分立式
2019-04-10 06:20:24
。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作,還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。工作上與MOSFET相同,通過給柵極施加電壓形成通道來流過電流。結(jié)構(gòu)上MOSFET(以Nch為例)是相同N型的源極
2018-11-28 14:29:28
的復(fù)合結(jié)構(gòu)。是為了利用MOSFET和雙極晶體管的優(yōu)點而開發(fā)的晶體管。與MOSFET同樣能通過柵極電壓控制進行高速工作,還同時具備雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特征。 工作上與MOSFET相同,通過
2020-06-09 07:34:33
是自來水的閥門,發(fā)射極是配管,集電極是水龍頭。用自來水的構(gòu)造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力(即基極的輸入信號)來控制
2019-07-23 00:07:18
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;(1)容易關(guān)斷,所需要的輔助元器件少,(2)開關(guān)迅速,能在很高的頻率下工作,(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
是自來水的閥門,發(fā)射極是配管,集電極是水龍頭。用自來水的構(gòu)造來舉例說明晶體管的作用。把晶體管的3個引腳-基極、集電極和發(fā)射極分別視作自來水的閥門、水龍頭和配管。通過微小之力(即基極的輸入信號)來控制
2019-05-05 00:52:40
)用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下:IE=IB+IC3.晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件,其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大,是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
ΔuO = ΔiCRC 。實質(zhì)上,這種控制作用就是放大作用。 3. 晶體管的工作狀態(tài) 當(dāng)給晶體管的兩個 PN 結(jié)分別施加不同的直流偏置時,晶體管會有放大、飽和和截止三種不同的工作狀態(tài)。這幾種工作狀態(tài)
2021-05-13 06:43:22
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低(正向約10%以下)耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
用555制作的晶體管特性曲線描繪儀本儀器除能測試晶體管外,還能測試二極管,測試方法如圖所示。晶體管特性曲線描繪儀是測試晶體管特性的專用儀器,使用該儀器可以將晶體管在各種工作電壓下的工作特性用曲線
2008-07-25 13:34:04
向各位大神求助,我想仿真“用石墨烯代替硅制作的場效應(yīng)晶體管的特性測量”。電路和普通的測量場效應(yīng)晶體管特性的電路基本一樣,只是需要能夠調(diào)整晶體管的遷移率等特性,想問下LABVIEW能實現(xiàn)這種仿真嗎?我在庫里沒找到晶體管,能幫忙指出在哪可以找到嗎?謝謝!實在是太菜鳥了,請見諒。能建立下圖這種電路就行。
2014-04-11 12:06:22
求大神相助,Multisim里面雪崩晶體管的過壓擊穿怎么放著那,當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
稱為發(fā)射極-基極二極管或發(fā)射極二極管。集電極基極二極管,也稱為集電極二極管,是集電極和基極之間的結(jié)點。五、PNP晶體管的工作原理電壓源(VEBpositive)的端子連接到發(fā)射極(P型),而負(fù)極
2023-02-03 09:44:48
,而且在高溫條件下的工作也表現(xiàn)良好,可以說是具有極大優(yōu)勢的開關(guān)元件。這張圖是各晶體管標(biāo)準(zhǔn)化的導(dǎo)通電阻和耐壓圖表。從圖中可以看出,理論上SiC-DMOS的耐壓能力更高,可制作低導(dǎo)通電阻的晶體管。目前
2018-11-30 11:35:30
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替,MFR151管子能用哪個來代替?或是誰有這兩個高頻管子的原件庫?求大神指教
2016-10-26 11:51:18
本帖最后由 生還者 于 2020-8-20 03:57 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》分為兩部分。第一部分介紹單管和雙管電路,主要目的是理解晶體管的基本工作機制。第二部分介紹各種晶體管應(yīng)用電
2020-08-19 18:24:17
本帖最后由 王棟春 于 2021-1-5 22:40 編輯
《晶體管電路設(shè)計與制作》是“圖解實用電子技術(shù)叢書”之一。本書首先對各種模擬電路的設(shè)計和制作進行詳細(xì)敘述;然后利用可在微機
2021-01-05 22:38:36
放大電路的設(shè)計與制作,下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。《晶體管電路設(shè)計》(上)面向?qū)嶋H需要,理論聯(lián)系實際,通過大量具體的實驗,通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
晶體管電路設(shè)計與制作,資料講解詳細(xì),供大家免費下載!
2021-04-19 17:55:54
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨立封裝,也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi),容納1億個或更多晶體管集成電路的一部分。(英特爾 3D 晶體管技術(shù))嚴(yán)格來說,晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件,包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對,由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
電路的設(shè)計與制作,下冊則共分15章,主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等?!?b class="flag-6" style="color: red">晶體管電路設(shè)計(下)》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一,共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管/FET電路設(shè)計技術(shù)
2017-06-22 18:05:03
可以將PNP晶體管定義為通常為“OFF”,但是適度的輸出電流和相對于其發(fā)射極(E)的基極(B)的負(fù)電壓將使其“打開”,從而允許大的發(fā)射極-集電極電流流動。我可以用NPN代替PNP嗎?如果您還記得一個簡單
2023-02-03 09:45:56
請教:單結(jié)晶體管在什么位置,有人說是UJT,但好象用不了呀?
2013-09-26 16:55:49
各位高手,小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管,按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真,大多數(shù)都不成功,請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊,可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請問對于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時候該如何分析?按照我的理解,在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時,如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
IC與基極電流IB的比值,一般用hFE或β表示。2.交流電流放大系數(shù)交流電流放大系數(shù)也稱動態(tài)電流放大系數(shù)或交流放大倍數(shù),是指在交流狀態(tài)下,晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值,一般用
2012-07-11 11:36:52
晶體管開關(guān)對電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān),從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?! ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要,其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備(如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性?如何去檢測晶體管的性能?怎樣去檢測特殊晶體管?
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開關(guān)特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅(qū)動電路的設(shè)計上會采取一些加速措施。如下: 加速電路一 在加速電路一中,并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻,它們在型號上的大致區(qū)別是什么?例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的:高頻(2SA****,2SC*****)、低頻(2SB****,2SD****)?,F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些?
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大,通過什么手段能解決?
2021-06-24 07:29:25
晶體管使用的電流的最大值解說DTA/C系列為例,構(gòu)成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2,則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA
2019-04-09 21:49:36
DTA/C系列為例,構(gòu)成數(shù)字晶體管的個別晶體管能流過100mA電流。用IC=100mA定義。個別晶體管連接電阻R1、R2,則成為數(shù)字晶體管。此數(shù)字晶體管流過IC=100mA時,基極電流IB需要相對
2019-04-22 05:39:52
(電阻器)組成。構(gòu)成晶體管的硅是形成地球的巖石中大量含有的物質(zhì)。因此,晶體管也俗稱"石",設(shè)計者常用"…之石"的叫法3. 按集成度分類為滿足客戶需求,ROHM在分立式
2019-05-05 01:31:57
最近剛把這本書看完,感覺挺不錯的,值得分享下!附件晶體管電路設(shè)計與制作.pdf8.9 MB
2018-11-07 09:42:34
2000一5000(α=0.995-0.9998)?! ∈且訮型襯底作為集電極,因此只有集成元器件之間采用PN結(jié)隔離槽的集成電路才能制作這種結(jié)構(gòu)的管子。由于這種結(jié)構(gòu)管子的載流子是沿著晶體管斷面的垂直
2019-04-30 06:00:00
來至網(wǎng)友的提問:如何選擇分立晶體管?
2018-12-12 09:07:55
);晶體管集電極的電大耐壓值,取決于VCEO(Collector-Emitter Voltage);晶體管能承受的最大功耗,取決于PD(Total Device Dissipation)。圖1一個NPN
2016-06-03 18:29:59
這個達林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
三只晶體管的調(diào)幅電路及制作
2009-04-13 15:20:06
19 四只晶體管的調(diào)幅電路及制作
2009-04-13 15:21:37
20
用PNP晶體管制作的偏差電路圖
2009-08-06 15:04:10
781 
用晶體管構(gòu)成的恒流源電路圖
2009-08-08 16:31:33
6657 
用晶體管做成的H電橋電路圖
2009-08-15 16:50:55
1829 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:53
4989 晶體管開關(guān)的作用
(一)控制大功率 現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管
2009-11-05 10:51:52
1462 晶體管的開關(guān)作用
(一)控制大功率
現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率,使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點,主要是;
2009-11-06 16:58:42
3970 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:05
6814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成,它是利用電流來控制。場效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:46
6586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:30
14825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:51
4129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM,是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時的最大
2010-03-05 17:34:10
8979 晶體管h參數(shù),晶體管h參數(shù)是什么意思
在合理設(shè)置靜態(tài)工作點和輸入為交流小信號的前提下,晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:22
6627 場效應(yīng)管,晶體管,場效應(yīng)管和晶體管的區(qū)別
場效應(yīng)晶體管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點,因而也被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中
2010-03-31 10:06:22
1113 晶體管收音機制作入門教程 本書主要內(nèi)容是介紹簡單晶體管收音機的制作和調(diào)整方法。包括各種二極管收音機,直接放大式單管機、二管機、三管機和四管機等,另外簡單介紹了晶體管收音機整流電源.
2011-02-26 17:27:01
882 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計、晶體管應(yīng)用(主要含晶體管收音機、晶體管測試儀)以及常見的晶體管(如:場效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等)。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬象,希望對各位有所幫助!
2012-08-03 09:12:48

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2014-09-03 10:34:14
0 晶體管種類很多,檢測方法也不一樣,這里詳細(xì)介紹了各種晶體管的檢測方法
2016-02-23 17:43:00
0 晶體管泛指所有半導(dǎo)體器件,包含N多種類,因此其也具有多種不同的分類方式。晶體管根據(jù)使用材料的不同可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管;根據(jù)極性的不同可分為NPN型晶體管和PNP型晶體管;根據(jù)結(jié)構(gòu)和制造
2019-04-09 14:18:31
36638 本文首先闡述了晶體管的概念,其次介紹了晶體管的優(yōu)越性,最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:12
13941 常見的晶體管有二極管、三極管和MOS管,主要的邏輯門電路:與門、或門、非門、與非門、或非門、異或門等,這篇文章介紹用晶體管搭建常見的邏輯門電路。
2020-11-01 11:03:30
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簡潔優(yōu)秀晶體管功放的設(shè)計制作方法步驟。
2021-04-10 10:13:30
61 晶體管簡介
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機械開關(guān)(如
2022-02-09 12:34:23
2 電流增益是晶體管最重要的特性,用hFE表示。當(dāng)達林頓晶體管導(dǎo)通時,電流通過負(fù)載提供給電路:負(fù)載電流=i/p電流X晶體管增益
2023-02-19 16:18:41
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晶體管串聯(lián)型穩(wěn)壓電源的制作?
2023-12-07 10:29:55
2 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)類型,它們在多個方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點、應(yīng)用場景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:00
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