Hittite推出低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E

Hitti te推出低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E

近日，Hittite全新推出一款低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E。該產(chǎn)品采用QFN SMT封裝，非常緊湊的封裝在一個3*3mm芯片中，這種設(shè)計使得該產(chǎn)品即使在功率敏感應(yīng)用中仍有很好的相噪性能。

HMC794LP3E可處理0.2-2GHz的輸入信號，提供四種分頻(/1, /2, /3, /4)輸出。當(dāng)輸入信號頻率是2GHz時，在100kHz頻偏處的噪聲低于-160dBc/Hz，在10MHz的殘余噪聲低于-166dBc/Hz。SiGe BiCMOS 技術(shù)可以使輸出功率不受信號頻率、分頻比、溫度及供給電壓變化的影響。該分頻器的電壓供給是5v，有一個電源中斷引腳，輸入和輸出信號的隔離度為75dB，而且其輸出功率可調(diào)，輸出占空比是50%。

HMC794LP3E有工業(yè)級的噪聲性能和可選擇的分頻比，故非常適合用在時鐘及儀器、軟件無線電、多頻帶合成器上，產(chǎn)生本振信號。在快速開關(guān)應(yīng)用中，兩個HMC794LP3E組成的芯片選通組可以顯著提高信號源的隔離度。

目前，HMC794LP3E的樣片和評估板現(xiàn)在已經(jīng)可以提供，詳情可致電HITTITE授權(quán)代理商世強電訊。

閱讀全文

Hittite(13079) Hittite(13079)
分頻(25290) 分頻(25290)

探索HMC8411LP2FE低噪聲放大器：性能、應(yīng)用與設(shè)計要點

探索HMC8411LP2FE低噪聲放大器：性能、應(yīng)用與設(shè)計要點在射頻和微波領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是至關(guān)重要的組件，它能在放大信號的同時盡可能減少噪聲的引入。HMC8411LP2FE作為一款

2026-01-05 17:00:06

HMC981LP3E有源偏置控制器：特性、應(yīng)用與設(shè)計要點

HMC981LP3E有源偏置控制器：特性、應(yīng)用與設(shè)計要點在電子工程師的日常設(shè)計中，偏置控制器的選擇和應(yīng)用至關(guān)重要。今天我們就來深入探討一下Analog Devices公司的HMC981LP3E有源

2026-01-05 10:50:06

6 GHz - 17 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器HMC903LP3E在射頻領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)

6 GHz - 17 GHz GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器HMC903LP3E在射頻領(lǐng)域的卓越表現(xiàn) 作為一名電子工程師，在設(shè)計射頻系統(tǒng)時，低噪聲放大器（LNA）的選擇至關(guān)重要，它

2026-01-04 17:00:06

198

探索HMC902LP3E：5 GHz - 11 GHz高性能低噪聲放大器

作用。今天，我們就來詳細探討Analog Devices推出的HMC902LP3E低噪聲放大器，看看它有哪些獨特之處。文件下載： HMC902LP3E.pdf 一、產(chǎn)品概述 HMC902LP3E

2026-01-04 16:55:02

202

探索HMC618ALP3E：高性能低噪聲放大器的卓越之選

探索HMC618ALP3E：高性能低噪聲放大器的卓越之選在電子設(shè)備的設(shè)計中，低噪聲放大器（LNA）扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在對信號質(zhì)量要求極高的無線通信領(lǐng)域。今天，我們就來深入了解一款出色

2026-01-04 14:40:11

深入解析HMC566LP4E：28 - 36 GHz低噪聲放大器的卓越之選

深入解析HMC566LP4E：28 - 36 GHz低噪聲放大器的卓越之選在當(dāng)今的高頻通信和測試領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）的性能對系統(tǒng)的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來詳細探討一款在

2026-01-04 13:45:09

探索HMC566LP4E：28 - 36 GHz低噪聲放大器的卓越性能與應(yīng)用

探索HMC566LP4E：28 - 36 GHz低噪聲放大器的卓越性能與應(yīng)用在射頻和微波領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是至關(guān)重要的組件，它能夠在放大信號的同時盡可能減少噪聲的引入。今天，我們將

2026-01-04 13:40:05

深入解析HMC490LP5(E)低噪聲放大器：特性、應(yīng)用與設(shè)計要點

深入解析HMC490LP5(E)低噪聲放大器：特性、應(yīng)用與設(shè)計要點在電子工程的微波通信領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是至關(guān)重要的組件，它直接影響著接收系統(tǒng)的靈敏度和性能。今天，我們就來詳細探討一款

2026-01-04 10:30:05

探索HMC463LP5 / 463LP5E：高性能低噪聲AGC放大器

探索HMC463LP5 / 463LP5E：高性能低噪聲AGC放大器在電子工程領(lǐng)域，放大器是不可或缺的重要組件，尤其是在高頻、低噪聲的應(yīng)用場景中。今天，我們將深入探討一款備受關(guān)注的放大器

2026-01-04 10:05:05

探索HMC462LP5/HMC462LP5E：2 - 20 GHz寬帶低噪聲放大器

探索HMC462LP5/HMC462LP5E：2 - 20 GHz寬帶低噪聲放大器在電子工程領(lǐng)域，低噪聲放大器（LNA）是信號處理系統(tǒng)中至關(guān)重要的組件，尤其在對信號質(zhì)量要求極高的應(yīng)用場景中。今天

2026-01-04 10:00:02

探索InGaP HBT 1 Watt高IP3放大器：HMC461LP3/LP3E的卓越性能與應(yīng)用

、CDMA、W - CDMA以及PHS等應(yīng)用中，對放大器的線性度、輸出功率和效率都提出了極高的要求。今天，我們就來深入探討Analog Devices推出的HMC461LP3/LP3E這款1.7

2026-01-04 09:45:27

211

InGaP HBT 半瓦高 IP3 放大器 HMC455LP3/455LP3E 深度解析

InGaP HBT 半瓦高 IP3 放大器 HMC455LP3/455LP3E 深度解析在當(dāng)今的無線通信領(lǐng)域，對于高性能放大器的需求與日俱增。特別是在多載波系統(tǒng)、GSM、GPRS、EDGE

2026-01-04 09:45:20

209

解析HMC415LP3/LP3E：4.9 - 5.9 GHz高效功率放大器

解析HMC415LP3/LP3E：4.9 - 5.9 GHz高效功率放大器在無線通信領(lǐng)域，對于特定頻段的高效功率放大器需求一直很旺盛。今天我們就來詳細剖析Analog Devices推出

2025-12-31 16:40:06

395

探索 HMC382LP3 / HMC382LP3E：1.7 - 2.2 GHz GaAs PHEMT MMIC 低噪聲放大器的卓越性能

探索 HMC382LP3 / HMC382LP3E：1.7 - 2.2 GHz GaAs PHEMT MMIC 低噪聲放大器的卓越性能在電子工程師的日常工作中，為特定應(yīng)用選擇合適的低噪聲

2025-12-31 16:25:03

探索HMC375LP3/LP3E低噪聲放大器：基站接收的理想之選

探索HMC375LP3/LP3E低噪聲放大器：基站接收的理想之選在當(dāng)今的無線通信領(lǐng)域，基站接收器的性能對于整個通信網(wǎng)絡(luò)的質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用。而低噪聲放大器（LNA）作為基站前端的關(guān)鍵組件，其

2025-12-31 16:20:10

探索 HMC376LP3/HMC376LP3E：700 - 1000 MHz 的低噪聲放大器卓越之選

階段，以極低的噪聲干擾放大信號，為后續(xù)的信號處理奠定良好基礎(chǔ)。今天我們要深入探討的就是 Analog Devices 推出的一款優(yōu)秀低噪聲放大器——HMC376LP3/HMC376LP3E，它工作在 700

2025-12-31 16:20:06

探索HMC374/HMC374E低噪聲放大器：高性能與緊湊設(shè)計的完美結(jié)合

我們就來深入探討由Analog Devices推出的HMC374/HMC374E低噪聲放大器，看看它在實際應(yīng)用中能帶來怎樣的表現(xiàn)。文件下載： HMC374.pdf 1. 特性亮點 1.1 多場景適配

2025-12-31 16:20:03

探索 HMC373LP3/LP3E：700 - 1000 MHz 低噪聲放大器解決方案

詳細探討一下 Analog Devices 推出的 HMC373LP3/LP3E 這款 GaAs PHEMT MMIC 低噪聲放大器，看看它有哪些獨特的特性和應(yīng)用場景。文件下載： HMC

2025-12-31 16:00:22

深入解析HMC372LP3/LP3E：700 - 1000 MHz低噪聲放大器的卓越之選

Devices推出的HMC372LP3/LP3E這款GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，看看它在700 - 1000 MHz頻段的表現(xiàn)究竟如何。文件下載： HMC372.pdf 典型應(yīng)用場

2025-12-31 15:45:06

探索HMC356LP3/LP3E：350 - 550 MHz GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器

和性能。今天，我們就來深入了解一下Analog Devices推出的HMC356LP3/LP3E，一款工作在350 - 550 MHz頻段的GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器。文件下載

2025-12-31 15:30:13

探索HMC1040LP3CE：24 - 43.5 GHz低噪聲放大器的卓越性能

產(chǎn)生的噪聲，從而提高整個系統(tǒng)的性能。今天，我們將深入探討Analog Devices推出的HMC1040LP3CE，一款工作在24 - 43.5 GHz頻段的GaAs pHEMT MMIC低噪聲

2025-12-31 14:55:06

探索 HMC1049LP5E：高性能 GaAs MMIC 低噪聲放大器的卓越之選

探索 HMC1049LP5E：高性能 GaAs MMIC 低噪聲放大器的卓越之選在當(dāng)今的射頻和微波領(lǐng)域，高性能的低噪聲放大器（LNA）是實現(xiàn)優(yōu)質(zhì)信號處理和傳輸?shù)年P(guān)鍵組件。HMC1049LP5E

2025-12-31 14:50:15

深入剖析HMC311LP3/LP3E：DC - 6 GHz增益模塊MMIC放大器

深入剖析HMC311LP3/LP3E：DC - 6 GHz增益模塊MMIC放大器在電子工程領(lǐng)域，放大器的性能和適用性對于各類射頻系統(tǒng)至關(guān)重要。今天我們要探討的HMC311LP3/LP3E，是一款由

2025-12-31 14:10:02

112

HMC263LP4E：24 - 36 GHz GaAs MMIC低噪聲放大器的卓越之選

。今天，我們就來詳細探討一下Analog Devices推出的HMC263LP4E這款GaAs MMIC低噪聲放大器。文件下載： HMC263LP4E.pdf 典型應(yīng)用場景 HMC263LP4E在

2025-12-31 14:00:13

LMK3H0102無基準(zhǔn)可編程時鐘發(fā)生器

LMK3H0102是德州儀器（TI）推出的無基準(zhǔn)可編程時鐘發(fā)生器，采用BAW（體聲波）諧振器技術(shù)，無需外部晶體即可實現(xiàn)高精度時鐘輸出，支持2差分/5單端輸出配置，可全面滿足PCIe Gen1-6

2025-11-04 09:33:12

?LMX1214 低噪聲高頻緩沖器與分頻器技術(shù)文檔總結(jié)

該LMX1214具有高輸出頻率、超低本底噪聲和極低偏斜時鐘分布。該器件具有四個高頻輸出時鐘和一個低頻輔助時鐘輸出。該器件支持高頻時鐘的緩沖和分頻模式。該器件可以將多通道、低偏斜、超低噪聲的本地振蕩器信號分配到多個混頻器。

2025-09-11 09:43:01

649

德州儀器LMX1214射頻緩沖器與分頻器技術(shù)解析

Texas Instruments LMX1214射頻緩沖器和分頻器具有高輸出頻率、超低噪聲基底和極低偏斜時鐘分布。該設(shè)備有四個高頻輸出時鐘和一個低頻輔助時鐘輸出。Texas Instruments LMX1214支持高頻時鐘的緩沖和分頻模式。此設(shè)備可將多通道、低偏斜、超低噪聲本地振蕩器信號分配給多個混頻器。

2025-09-06 09:37:14

712

?LP5522可編程LED驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)

LP5522 是一款簡單的單線可編程 LED 控制器，采用六焊球 DSBGA 封裝。它通過高側(cè)驅(qū)動器提供恒定電流。輸出電流可設(shè)置為 1 mA 至 20 mA，使用ISET引腳上的外部電阻。如果不使

2025-09-05 09:20:21

727

LP5560可編程單LED驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊總結(jié)

LP5560 是一款可編程 LED 驅(qū)動器，可生成各種閃爍序列，每個序列最多三個不同長度的脈沖。閃爍序列可以通過單線接口進行編程。可編程參數(shù)包括開啟和關(guān)閉時間以及上升和下降時間。默認(rèn)序列被編程到 LP5560 中，以便在沒有編程功能的簡單系統(tǒng)中使用設(shè)備。

2025-08-29 11:07:41

954

HMC632LP5/632LP5E MMIC VCO，帶半頻輸出技術(shù)手冊

HMC632LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC632LP5(E)集成諧振器、負電阻器件、變?nèi)荻O管，并具有半頻和四分頻輸出。由于振蕩器

2025-04-30 11:47:58

1149

HMC584LP5/584LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC584LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC584LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 11:30:33

802

HMC583LP5/583LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC583LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC583LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 11:26:07

840

HMC582LP5/582LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC582LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC582LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于振蕩器的單芯片結(jié)構(gòu)，該VCO的相位噪聲性能在不同的溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。

2025-04-30 11:20:17

843

HMC534LP5/534LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC534LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC534LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 11:14:28

810

HMC533LP4/533LP4E采用SMT封裝的VCO，提供16分頻，23.8-24.8GHz技術(shù)手冊

HMC533LP4(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC533LP4(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可提供16分頻輸出。由于振蕩器的單

2025-04-30 11:08:54

747

HMC531LP5/531LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC531LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC531LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 11:02:22

814

HMC530LP5/530LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC530LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC530LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 10:56:53

777

HMC529LP5/529LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC529LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC529LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 10:50:36

756

HMC515LP5/515LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC515LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 10:16:57

739

HMC514LP5/514LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC514LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC514LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 10:13:35

817

HMC513LP5/513LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC513LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC513LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 10:03:14

760

HMC512LP5/LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC512LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC512LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 09:42:59

679

HMC510LP5/510LP5E采用SMT封裝的VCO技術(shù)手冊

HMC510LP5(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC510LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變?nèi)荻O管，可輸出半頻，并提供4分頻輸出。由于

2025-04-30 09:28:03

770

HMC699LP5/699LP5E 7GHz整數(shù)N分頻頻率合成器SMT技術(shù)手冊

HMC699LP5(E)是一款頻率合成器，集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測輸出。該分頻器工作范圍為160 - 7000 MHz，連續(xù)整數(shù)分頻比N為56至519，非連續(xù)分頻比N為16至54

2025-04-27 17:41:15

778

HMC698LP5/698LP5E 7GHz整數(shù)N分頻頻率合成器SMT技術(shù)手冊

HMC698LP5(E)是一款頻率合成器，集成寬帶極性可反轉(zhuǎn)數(shù)字PFD和鎖定檢測輸出。該分頻器的無條件工作范圍為80 - 7000 MHz，連續(xù)整數(shù)分頻比為12至259。由于高工作頻率以及超低

2025-04-27 17:09:35

735

ADF4007高頻分頻器/PLL頻率合成器技術(shù)手冊

ADF4007是一款高頻分頻器/PLL頻率合成器，可用于各種通信應(yīng)用。RF端工作頻率可達7.5 GHz，PFD端工作頻率可達120 MHz。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和分頻器

2025-04-27 15:23:56

881

ADF4116/ADF4117/ADF4118單通道、整數(shù)N分頻550MHz PLL技術(shù)手冊

ADF4116/ADF4117/ADF4118均為頻率合成器，可以用來在無線接收機和發(fā)射機的上變頻和下變頻部分實現(xiàn)本振。上述器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器、可編程

2025-04-27 15:01:24

861

ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L低功耗、雙通道RF/IF整數(shù)N分頻PLL技術(shù)手冊

鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器、可編程A和B計數(shù)器以及雙模預(yù)分頻器(P/P+1)組成。

2025-04-27 10:49:17

797

ADF4110/ADF4111/ADF4112/ADF4113單通道、整數(shù)N分頻、550 MHz PLL，內(nèi)置可編程預(yù)分頻器和電荷泵技術(shù)手冊

ADF4110系列頻率合成器在無線接收機和發(fā)射機的上變頻和下變頻部分中，可用來實現(xiàn)本振。上述器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程基準(zhǔn)分頻器、可編程A和B計數(shù)器以及雙模預(yù)分頻器(P

2025-04-27 10:43:31

1040

ADF4001 200MHz時鐘發(fā)生器PLL技術(shù)手冊

ADF4001頻率合成器可用來實現(xiàn)要求極低噪聲、穩(wěn)定基準(zhǔn)信號的PLL的時鐘源。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器和可編程13位N分頻器組成。此外，14位參考分頻器（R

2025-04-27 10:33:58

1115

ADF4206/ADF4208雙通道、整數(shù)N分頻1.1GHz/2.0 GHz PLL技術(shù)手冊

ADF4206/ADF4208均為雙通道頻率合成器，可以用來在無線接收機和發(fā)射機的上變頻和下變頻部分實現(xiàn)本振。上述器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器、可編程A和B

2025-04-27 10:06:10

745

ADF4002鑒相器/PLL頻率合成器技術(shù)手冊

ADF4002頻率合成器用來在無線接收機和發(fā)射機的上變頻和下變頻部分實現(xiàn)本機振蕩器。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵、可編程參考分頻器和可編程N分頻器組成。14位參考分頻器（R分頻器）允許PFD輸入端的REF~IN~頻率為可選值。

2025-04-27 09:48:25

1235

ADF4154小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

ADF4154是一款小數(shù)N分頻頻率合成器，用來在無線接收機和發(fā)射機的上變頻和下變頻部分實現(xiàn)本振。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程基準(zhǔn)分頻器組成。該器件內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值器

2025-04-27 09:36:56

877

ADF4157高分辨率、6 GHz 、小數(shù)N分頻合成器技術(shù)手冊

ADF4157是一款6 GHz、小數(shù)N分頻合成器，具有25 bit固定模數(shù)，在6 GHz實現(xiàn)亞赫茲頻率分辨率。ADF4157包括低噪聲數(shù)字鑒相器、精密電荷泵、可編程參考除法器。其基于∑-Δ的分?jǐn)?shù)內(nèi)插

2025-04-25 17:47:47

863

ADF4158直接調(diào)制/波形產(chǎn)生6.1GHz小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

ADF4158是一款具有調(diào)制和波形產(chǎn)生能力的6.1 GHz小數(shù)N分頻頻率合成器，包含25位固定模數(shù)，可在6.1 GHz下提供次赫茲頻率分辨率。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程

2025-04-25 15:52:01

957

ADF4151小數(shù)N/整數(shù)N分頻PLL頻率合成器技術(shù)手冊

兼容、軟件兼容。該器件由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。它內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值器，能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。INT、FRAC和MOD寄存器可構(gòu)成一個總N分頻器[N

2025-04-25 15:15:29

925

ADF4159直接調(diào)制/快速波形產(chǎn)生13GHz小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。該器件內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值器，能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。 INT和FRAC寄存器可構(gòu)成一個總N分頻器(N = INT + (FRAC/2 ^25^ ))。

2025-04-25 15:04:32

1011

ADF4153A小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

ADF4153A是一款小數(shù)N分頻頻率合成器，用來在無線接收機和發(fā)射機的上變頻和下變頻部分實現(xiàn)本振。它由低噪聲數(shù)字鑒頻鑒相器(PFD)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。該器件內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值

2025-04-25 14:58:27

852

LTC6948具集成型VCO的超低噪聲0.37GHz至6.39GHz分?jǐn)?shù)N合成器技術(shù)手冊

LTC6948 是一款具全集成型 VCO 的高性能、低噪聲、6.39GHz 鎖相環(huán) (PLL)，其包括一個基準(zhǔn)分頻器、相位-頻率檢測器 (PFD)、超低噪聲充電泵、分?jǐn)?shù)反饋分頻器和 VCO 輸出分頻器。

2025-04-25 14:08:33

723

ADF4169直接調(diào)制/快速波形產(chǎn)生13.5 GHz小數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

)、精密電荷泵和可編程參考分頻器組成。該器件內(nèi)置一個Σ-Δ型小數(shù)插值器，能夠?qū)崿F(xiàn)可編程小數(shù)N分頻。 INT和FRAC寄存器可構(gòu)成一個總N分頻器 N = INT + (FRAC/2 ^25^ ).

2025-04-25 11:18:48

839

HMC4069LP4E 2.9GHz整數(shù)N分頻頻率合成器技術(shù)手冊

HMC4069LP4E是一款整數(shù)N分頻頻率合成器，將10至1300MHz的數(shù)字鑒頻鑒相器與10至2900MHz 5位頻率計數(shù)器組合在一起。它適合低相位噪聲頻率合成器應(yīng)用。該器件將高工作頻率

2025-04-25 10:46:28

748

HMC759LP3E 0.25dB LSB 7位數(shù)字衰減器，采用SMT封裝，10-300MHz技術(shù)手冊

HMC759LP3E是一款7位BiCMOS數(shù)字衰減器，采用低成本無引腳SMT封裝。這款多功能數(shù)字衰減器采用針對接近直流操作的片外交流接地電容，適合各種RF和IF應(yīng)用。控制接口兼容CMOS/TTL

2025-04-24 16:35:45

697

HMC1044LP3E可編程諧波低通濾波器，1-3GHz 3dB帶寬技術(shù)手冊

HMC1044LP3E是一款針對所有采用正交調(diào)制器和/或解調(diào)器應(yīng)用的可編程帶寬LPF（低通濾波器）。 HMC1044LP3E可濾除LO諧波，從而確保LO對調(diào)制器邊帶抑制或解調(diào)器鏡像抑制性能的貢獻非常小或為零。

2025-04-23 10:48:44

836

HMC900LP5E 50MHz雙通道基帶可編程低通濾波器技術(shù)手冊

HMC900LP5E是一款6階、可編程帶寬、完全校準(zhǔn)、雙通道低通濾波器。該器件具有0或10 dB輸入增益設(shè)置并支持3.5至50 MHz范圍的任意帶寬。校準(zhǔn)時，相對所需帶寬的精度為±2.5%。它包括濾波器旁路選項，帶寬為100 MHz，同時可保持增益和共模設(shè)置。

2025-04-21 10:05:29

912

HMC1023LP5E 72MHz雙通道可編程低通濾波器技術(shù)手冊

HMC1023是一款6階、可編程帶寬、完全校準(zhǔn)、雙通道低通濾波器。它具有可編程的0至10 dB增益并支持5 MHz至72 MHz范圍的任意帶寬。校準(zhǔn)時，帶寬精確至+/-2.5%。內(nèi)置濾波器旁路選項提供更寬的帶寬，同時保持可編程增益和共模控制設(shè)置。

2025-04-19 14:00:00

740

HMC905LP3E 6GHz低噪聲可編程分頻器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC905LP3E是一款SiGe BiCMOS低噪聲可編程分頻器，采用3x3 mm無引腳表貼封裝。在400 MHz至6 GHz 輸入頻率范圍內(nèi)，該電路可編程并采用N = 1至N = 4分頻。該

2025-04-18 14:43:20

791

HMC705LP4/HMC705LP4E 6.5GHz可編程分頻器SMT技術(shù)手冊

HMC705LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程分頻器，采用4x4 mm無引腳表貼封裝。該分頻器可以通過編程設(shè)置為以N = 1到N = 17之間的任意數(shù)字進行分頻（最高6.5 GHz

2025-04-18 14:14:51

916

HMC494LP3/494LP3E使用InGaP HBT技術(shù)，8分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC494LP3(E)是一款低噪聲8分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工

2025-04-18 10:18:56

734

HMC493LP3/493LP3E使用InGaP HBT技術(shù)，4分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC493LP3(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用無引腳3x3 mm QFN表面貼裝塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至18 GHz的輸入頻率下工

2025-04-18 09:59:26

838

HMC492LP3/492LP3E InGaP HBT 2分頻 SMT，DC-18GHz技術(shù)手冊

HMC492LP3（E）是一款低噪聲 2 分頻靜態(tài)分頻器，采用 InGaP GaAs HBT 技術(shù)，采用無引腳 3x3 mm QFN 表面貼裝塑料封裝。該器件采用單個 +5V DC 電源，在 DC

2025-04-18 09:48:50

789

HMC447LC3使用InGaP HBT技術(shù)，4分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器，采用InGaP GaAs HBT技術(shù)。這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz，可接受極寬范圍的輸入功率水平。 HMC447LC3具有

2025-04-18 09:25:42

813

HMC437MS8G/437MS8GE使用InGaP HBT技術(shù)，3分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC437MS8G(E)是一款低噪聲3分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用低成本8引腳表貼塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至7 GHz的輸入頻率下工作，使用+5V

2025-04-17 15:23:39

793

HMC434使用InGaP HBT技術(shù)，8分頻，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC434是一款低噪聲、靜態(tài)、8分頻預(yù)分頻器單芯片微波集成電路(MMIC)，利用磷化銦鎵/砷化鎵(InGaP/GaAs)異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT)技術(shù)，采用超小型6引腳SOT-23表貼封裝。

2025-04-17 14:23:27

1099

HMC433/433E使用InGaP HBT技術(shù)，4分頻，采用SMT封裝，DC-8GHz技術(shù)手冊

HMC433(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用超小型表面貼裝SOT26塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至8 GHz的輸入頻率下工作，使用+3

2025-04-17 14:05:37

897

HMC432/432E使用InGaP HBT技術(shù)，2分頻，采用SMT封裝，DC-8GHz技術(shù)手冊

HMC432(E)是一款低噪聲2分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用超小型表面貼裝SOT26塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至8 GHz的輸入頻率下工作，使用+3

2025-04-17 13:57:00

900

HMC394LP4/394LP4E可編程5位計數(shù)器SMT，DC-2.2GHz技術(shù)手冊

HMC394LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程5位計數(shù)器，采用4x4 mm無鉛表面貼裝封裝。在輸入頻率高達2.2 GHz時，該器件可在N為2至32范圍進行連續(xù)分頻。輸出電壓擺幅為

2025-04-17 11:35:47

835

HMC365S8G/365S8GE InGaP HBT 4分頻SMT封裝，DC-13GHz技術(shù)手冊

HMC365S8G(E)是一款低噪聲4分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用8引腳表貼塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至13 GHz的輸入頻率下工作，使用+5V DC單

2025-04-17 11:07:39

642

HMC361S8G/361S8GE使用InGaP HBT技術(shù)，2分頻，采用SMT封裝，DC-10GHz技術(shù)手冊

HMC361S8G(E)是一款低噪聲2分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，采用8引腳表貼塑料封裝。此器件在DC（使用方波輸入）至10 GHz的輸入頻率下工作，使用+5.0V DC

2025-04-17 09:53:15

728

ADF5001 4GHz 至18GHz 4分頻預(yù)分頻器技術(shù)手冊

ADF5001預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊，可用來將高達18GHz的頻率分頻至適合輸入到[ADF4156]或 [ADF4106]等PLL IC的較低頻率。ADF5001提供4

2025-04-16 15:50:29

858

ADF5002 4GHz至18GHz 8分頻預(yù)分頻器技術(shù)手冊

ADF5002預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊，可用來將高達18GHz的頻率分頻至適合輸入到 [ADF4156]或[ADF4106]等PLL IC的較低頻率。ADF5002提供8分頻

2025-04-16 15:46:49

938

ADF5000 4GHz 至18GHz 2分頻預(yù)分頻器技術(shù)手冊

ADF5000預(yù)分頻器是一款低噪聲、低功耗、固定RF分頻器模塊，可用來將高達18 GHz的頻率分頻至適合輸入到[ADF4156]等PLL IC的較低頻率。ADF5000提供2分頻功能，采用3.3 V

2025-04-16 15:16:57

1024

HMC959LC3提供復(fù)位功能和可編程輸出電壓的26GHz 4分頻器件，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC959LC3是一款帶復(fù)位功能的4分頻器件，設(shè)計支持高達26 GHz的時鐘頻率。正常工作時，在復(fù)位引腳未置位的情況下，輸出在時鐘正沿上從之前的狀態(tài)開始切換。這樣便可實現(xiàn)4分頻時鐘輸入。置位

2025-04-16 14:16:57

740

HMC631LP3/631LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC631LP3和HMC631LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF消除、波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC631LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)

2025-04-09 11:22:37

859

HMC630LP3/630LP3E HBT矢量調(diào)制器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC，可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF

2025-04-09 11:16:06

911

HMC-C040 InGaP HBT 10分頻模塊技術(shù)手冊

HMC-C040是一款低噪聲10分頻靜態(tài)分頻器，使用InGaP GaAs HBT技術(shù)，封裝在微型密封模塊中，帶有可更換的SMA連接器。該器件在0.5至17 GHz的輸入頻率范圍內(nèi)工作，使用單個

2025-04-03 17:00:52

770

HMC903LP3E GaAs、pHEMT、MMIC、低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC903LP3E是一款自偏置、砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪聲放大器(LNA)，提供可選偏置控制來降低IDQ。采用16引腳、3 mm × 3 mm

2025-03-21 15:14:51

1104

HMC902LP3E低噪聲放大器，采用SMT封裝技術(shù)手冊

HMC902LP3E是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)低噪聲放大器(LNA)，通過可選偏置控制實現(xiàn)自偏置，以降低IDQ

2025-03-21 15:00:43

836

HMC618ALP3E GaAs SMT pHEMT低噪聲放大器SMT，1.2-2.2GHz技術(shù)手冊

HMC618ALP3E是一款GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，非常適合蜂窩/3G和LTE/WiMAX/4G基站前端接收機，工作頻率范圍為1.2 - 2.2 GHz。該放大器經(jīng)過優(yōu)化，采用

2025-03-20 16:43:19

774

HMC566LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，28-36GHz技術(shù)手冊

HMC566LP4E是一款高動態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為28至36 GHz。 HMC566LP4E提供21 dB小信號增益、2.8 dB噪聲

2025-03-20 15:55:24

834

HMC382 1.7-2.2GHz低噪聲放大器SMT技術(shù)手冊

HMC382LP3(E)是一款高動態(tài)范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，非常適合GSM和CDMA蜂窩基站前端接收機，工作頻率范圍為1.7至2.2 GHz。該LNA經(jīng)過優(yōu)化，在+5V單

2025-03-20 10:50:32

772

HMC376 0.7-1.0GHz低噪聲放大器SMT技術(shù)手冊

HMC376LP3和HMC376LP3E為GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，非常適合GSM和CDMA蜂窩基站前端接收機，工作頻率范圍為700至1000 MHz。該放大器經(jīng)過優(yōu)化，在+5V

2025-03-20 10:44:16

797

HMC372 GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器，700-1000MHz技術(shù)手冊

HMC372LP3(E)是一款GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器，非常適合GSM和CDMA蜂窩基站前端接收機，工作頻率范圍為700至1000 MHz。該放大器經(jīng)過優(yōu)化，在+5V單電源

2025-03-20 09:56:31

2681

HMC263LP4E低噪聲放大器，采用SMT封裝，24-36GHz技術(shù)手冊

HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為24至36 GHz，采用無引腳SMT塑料封裝。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工藝制造而成，采用3 V

2025-03-19 15:41:44

776

HMC1049LP5E GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器技術(shù)手冊

HMC1049LP5E是一款GaAs MMIC低噪聲放大器，工作頻率范圍為0.3至20 GHz。該LNA提供15 dB的小信號增益、1.8 dB的噪聲系數(shù)、29 dBm的輸出IP3，采用+7V電源

2025-03-19 14:50:33

722

HMC1040LP3CE GaAs pHEMT MMIC低噪聲放大器SMT技術(shù)手冊

的噪聲系數(shù)，+22 dBm的輸出IP3，同時所需電源范圍僅為70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB輸出功率使LNA可用作許多Hittite平衡、I/Q和鏡像抑制混頻器的LO驅(qū)動器。 HMC1040LP 3CE包括隔直且內(nèi)部匹配至50 Ohms的I/O，非常適合高容量微波無線電和VSAT應(yīng)用。

2025-03-19 14:18:45

784

chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛兴趣闲谈,欧美亚洲精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

Hittite推出低噪聲可編程分頻器HMC794LP3E

評論