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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CMPA0060002F晶體管 (HEMT)

型號： CMPA0060002F

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 增益 18 dB 小信號增益
  • 工作電壓 4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V
  • 電壓特性 高擊穿電壓
  • 環(huán)境 高溫操作
  • 尺寸 0.5" x 0.5" 產(chǎn)品總尺寸

--- 產(chǎn)品詳情 ---

Cree 的 CMPA0060002F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬和砷化鎵晶體管。 該 MMIC 采用分布式（行波）放大器設(shè)計(jì)方法，使極寬的帶寬，以實(shí)現(xiàn)在一個(gè)小的占位面積旋入式封裝，具有銅鎢散熱器。

CMPA0060002F

特征
18 dB 小信號增益
4.8 W 典型 PSAT 工作電壓高達(dá) 28 V
高擊穿電壓
高溫操作
0.5" x 0.5" 產(chǎn)品總尺寸


應(yīng)用
超寬帶放大器
光纖驅(qū)動器
測試儀器
EMC 放大器驅(qū)動器

 

CMPA0060002F
CMPA0060002F1-AMP
CMPA0060002F1
CMPA0060002F-AMP
CMPA0060002D
CMPA0527005F
CMPA0527005F-AMP1
CGHV1F006S-AMP3
CGHV1F006S-AMP1
CGHV1F006S
CGH40006S-AMP1
CGH40006P-AMP
CGH40006S
CGH40006P
CGHV1J006D-GP4
CGH60008D-GP4
CG2H40010F-AMP
CGH40010F-AMP
CG2H40010F
CGH40010F
CG2H40010P
CGH40010P
CGH55015F2-AMP
CGH55015P2
CGH55015F2
PTVA030121EA-V1
CMPA2735015S
CGHV27015S
CGH27015F-AMP

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