一、產(chǎn)品概述
HMC635LC4 是一款砷化鎵（GaAs）贗配高電子遷移率晶體管（PHEMT）單片微波集成電路（MMIC）驅(qū)動放大器裸片，工作頻率范圍為 18 GHz 至 40 GHz。該放大器可提供 18.5 dB 增益、+27 dBm 輸出三階交調(diào)點（IP3）及 +22 dBm 1 dB 增益壓縮點輸出功率，工作時需從 +5V 電源汲取 280 mA 電流。
其典型應(yīng)用場景包括微波無線電驅(qū)動放大器，或 18 GHz 至 40 GHz 頻段混頻器的本振（LO）驅(qū)動放大器，飽和輸出功率最高可達(dá) +23.5 dBm（功率附加效率 PAE 為 15%）。放大器的輸入 / 輸出端均采用直流阻斷設(shè)計，且內(nèi)部匹配至 50 歐姆，非常適合集成到多芯片模塊（MCM）中。
二、主要特性
- 器件類型：GaAs PHEMT MMIC 驅(qū)動放大器
- 工作頻率范圍：18 GHz - 40 GHz
- 增益性能：典型值 18.5 dB（18-36 GHz 頻段）、17.5 dB（36-40 GHz 頻段）
- 線性與功率特性：
- 1 dB 壓縮點輸出功率（P1dB）：典型值 +22 dBm（18-36 GHz 頻段）、+21 dBm（36-40 GHz 頻段）
- 飽和輸出功率（Psat）：典型值 +23.5 dBm（18-36 GHz 頻段）、+21.5 dBm（36-40 GHz 頻段）
- 輸出三階交調(diào)點（IP3）：典型值 +27 dBm（18-36 GHz 頻段）、+26 dBm（36-40 GHz 頻段）
- 噪聲性能：噪聲系數(shù)（NF）典型值 7 dB
- 供電規(guī)格：+5V 供電，總工作電流 280 mA
- 阻抗匹配：輸入 / 輸出端內(nèi)部匹配至 50 歐姆，且支持直流阻斷
- 溫度穩(wěn)定性：溫度增益變化典型值 0.045-0.06 dB/°C
- 封裝形式：24 引腳陶瓷表面貼裝封裝（4mm×4mm，面積 16mm2）
三、典型應(yīng)用領(lǐng)域
- 點對點無線電通信系統(tǒng)
- 點對多點無線電及甚小孔徑終端（VSAT）系統(tǒng)
- 混頻器本振（LO）驅(qū)動器
四、相關(guān)型號
（注：基于提供信息，暫列核心型號）
- HMC635LC4
五、電氣規(guī)格
（測試條件：環(huán)境溫度 TA = +25°C；供電電壓 Vdd1、Vdd2、Vdd3、Vdd4 = +5V；總工作電流 Idd = 280 mA [1]）
| 參數(shù)（Parameter） | 頻率范圍 18-36 GHz | 頻率范圍 36-40 GHz | 單位（Units） | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小值（Min.） | 典型值（Typ.） | 最大值（Max.） | 最小值（Min.） | 典型值（Typ.） | 最大值（Max.） | ||
| 增益 [2]（Gain） | 15 | 18.5 | - | 15 | 17.5 | - | dB |
| 溫度增益變化（Gain Variation Over Temperature） | - | 0.045 | 0.06 | - | 0.045 | 0.06 | dB/°C |
| 輸入回波損耗（Input Return Loss） | 13 | - | - | 7 | - | - | dB |
| 輸出回波損耗（Output Return Loss） | 10 | - | - | 7 | - | - | dB |
| 1 dB 壓縮點輸出功率 [2]（Output Power for 1 dB Compression, P1dB） | 19 | 22 | - | 16 | 21 | - | dBm |
| 飽和輸出功率 [2]（Saturated Output Power, Psat） | - | 23.5 | - | - | 21.5 | - | dBm |
| 輸出三階交調(diào)點（Output Third-Order Intercept, IP3） | 22 | 27 | - | 21 | 26 | - | dBm |
| 噪聲系數(shù) [2]（Noise Figure, NF） | - | 7 | - | - | 7 | - | dB |
| 總工作電流（Total Supply Current, Idd1+Idd2+Idd3+Idd4） | - | 280 | - | - | 280 | - | mA |
備注：
[1] 需將柵極電壓 Vgg1 = Vgg2 在 -2V 至 0V 之間調(diào)節(jié)，以實現(xiàn)典型總工作電流 Idd = 280 mA。[2] 增益、功率及噪聲系數(shù)測量值已扣除電路板損耗。
六、封裝信息
| 項目（Item） | 規(guī)格（Specification） |
|---|---|
| 零件號（Part Number） | HMC635LC4 |
| 封裝本體材質(zhì)（Package Body Material） | 白色氧化鋁（Alumina, White） |
| 引腳鍍層（Lead Finish） | 鎳上鍍金（Gold over Nickel） |
| MSL 等級（MSL Rating）[1] | MSL3 |
| 封裝標(biāo)記（Package Marking）[2] | H635 XXXX（XXXX 為四位數(shù)字批號） |
備注：
[1] MSL 等級對應(yīng)的最高回流溫度為 260°C。[2] 封裝標(biāo)記中的 “XXXX” 代表四位數(shù)字批號。
