C2M1000170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉換提供更快的開關和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現(xiàn)更小、更高效的電源轉換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關頻率；較小的設計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。
優(yōu)點
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率
特征
? 具有獨立驅動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 易于并聯(lián)且易于驅動
? 無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
? 1500V 太陽能逆變器
? 開關模式電源
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 脈沖電源應用
漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動態(tài):-10/+25V
柵極-源極電壓靜態(tài)：-5/+20V
脈沖漏極電流：160A
功耗：520W
工作結溫和存儲溫度:-40 to+150?C
焊接溫度:260?C
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