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射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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C2M0045170P碳化硅MOSFET

型號： C2M0045170P

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1700V
  • 柵極-源極電壓動態(tài) -10/+25V
  • 柵極-源極電壓靜態(tài) -5/+20V
  • 脈沖漏極電流 160A
  • 功耗 520W
  • 工作結溫和存儲溫度 -40 to+150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C2M1000170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉(zhuǎn)換提供更快的開關和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開關頻率；較小的設計；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。

C2M1000170D

優(yōu)點
? 降低開關損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率


特征
? 具有獨立驅(qū)動源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動
? 無鹵素，符合 RoHS 標準

 

應用
? 1500V 太陽能逆變器
? 開關模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 脈沖電源應用

 

漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動態(tài):-10/+25V
柵極-源極電壓靜態(tài)：-5/+20V
脈沖漏極電流：160A
功耗：520W
工作結溫和存儲溫度:-40 to+150?C
焊接溫度:260?C


相關型號
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
CSD01060E C3D08060A
CSD01060A C3D10060G
C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
C3D02060A C3D20060D
C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
C3D04060A C6D04065A
C3D06060G C6D06065Q
 

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