--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 阻斷電壓 1200V
- 包裹 62毫米
- 配置 半橋
- 電阻 4μJ
- 模塊尺寸 105 x 62 x 31 毫米
- 最高結(jié)溫 175°C
--- 產(chǎn)品詳情 ---
WAB300M12BM3是62mm (BM2 & BM3) 碳化硅半橋功率模塊。用于開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)優(yōu)化應(yīng)用的 BM2 和 BM3 半橋模塊。62mm 功率模塊平臺(tái)提供了碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì);同時(shí)保持穩(wěn)??;行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 62 毫米模塊封裝。62mm BM 封裝的內(nèi)部設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了高速碳化硅開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì);由于低電感布局。BM 平臺(tái)非常適合工業(yè)測(cè)試設(shè)備中的應(yīng)用;軌道/牽引;和電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)。

系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
? 從 62mm Si IGBT 封裝過(guò)渡所需的開(kāi)發(fā)時(shí)間極短且上市時(shí)間短
? 由于 SiC 的低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗,提高了系統(tǒng)效率
? 高可靠性材料選擇
技術(shù)特點(diǎn)
? 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) 62 毫米尺寸
? 高濕度操作 THB-80 (HV-H3TRB)
? 高結(jié)溫 (175 °C) 操作
? 實(shí)施交換優(yōu)化的第三代
碳化硅MOSFET技術(shù)
? 低電感 (10.2 nH) 設(shè)計(jì)
? 氮化硅絕緣體和銅基板
應(yīng)用
? 鐵路和牽引
? 太陽(yáng)的
? 電動(dòng)汽車(chē)充電器
? 工業(yè)自動(dòng)化與測(cè)試
阻斷電壓:1200V
包裹:62毫米
配置:半橋
電阻:13μJ
模塊尺寸:105 x 62 x 31 毫米
最高結(jié)溫:175°C
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