CMPA2060035D 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號(hào)： CMPA2060035D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

小信號(hào)增益 28 dB
典型 PSAT 35 W
工作電壓高達(dá) 32 V
耐壓性高擊穿電壓
耐高溫高溫操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CMPA2060035 是一種基于氮化鎵 (GaN) HEMT 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導(dǎo)率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 MMIC 包含兩級(jí)無(wú)功匹配放大器設(shè)計(jì)方法，可在小尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)非常寬的帶寬。提供裸片和帶有銅鎢散熱器的旋入式封裝。

特征
28 dB 小信號(hào)增益
35 W 典型 PSAT
工作電壓高達(dá) 32 V
高擊穿電壓
高溫操作

應(yīng)用
超寬帶驅(qū)動(dòng)器
光纖驅(qū)動(dòng)器
測(cè)試儀器
EMC 放大器驅(qū)動(dòng)器

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