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      Infineon

      IRFR120ZTRPBF

      MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK

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      IRFR120ZTRPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 閘/源截止電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        8.7 A
      • 輸入偏置電容@25V
        310 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        190 mΩ
      • 漏源電壓
        100 V
      • 漏源極擊穿電壓
        100 V
      • 漏源導通電阻@5.2A,10V
        190 mΩ
      • 漏源導通電阻
        190 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        10 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        8.3 ns
      • 功率耗散
        35 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        27 ns
      • 下降時間
        23 ns
      • 上升時間
        26 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-252

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        2.39 mm
      • 長度
        6.73 mm
      • 寬度
        6.22 mm

      IRFR120ZTRPBF 數(shù)據(jù)手冊

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRFR120ZTRPBF 圖片

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