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      Texas Instruments (TI)

      TLE2022AMJGB

      High-Speed, Low-Power, Precision Dual Operational Amplifier, 4 to 40 V, -55 to 125 degC, 8-pin DIP (JG8)

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      TLE2022AMJGB 器件參數(shù)

      Function

      • 通道數(shù)量
        2
      • 輸入偏置電流
        70 nA
      • 輸入偏置電壓
        120 μV
      • 電源電壓
        4 V, 40 V
      • 電壓增益
        123.52 dB
      • 增益帶寬乘積
        1.7 MHz
      • 功率耗散
        1.05 W
      • 共模抑制比
        87 dB
      • 供電電流
        550 μA
      • I/O電壓
        400 μV

      Physical

      • 端子間距
        2.54 mm
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 125 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 制造商封裝
        CDIP

      Compliance

      • 無鉛
        Contains Lead

      TLE2022AMJGB EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      TLE2022AMJGB 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • SLOS191D
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      TLE2022AMJGB 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip