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      Diodes

      DMN2005UFG-13

      MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333

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      DMN2005UFG-13 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        18.1 A
      • 輸入偏置電容
        6.495 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        8.7 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.5V,13.5A
        4.6 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        4.6 mΩ
      • 柵源電壓
        12 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        1.2 V
      • 柵極電荷
        164 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        12.4 ns
      • 功率耗散
        1.05 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        114 ns
      • 下降時間
        38 ns
      • 上升時間
        25.7 ns

      Physical

      • 重量
        0.00254 oz
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        PowerDI3333-8

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

      DMN2005UFG-13 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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      • DMN2005UFG-13
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
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