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      NCE

      NCE60P04R

      MOS P-Channel VDS=60V VGS=±20V ID=4.3A RDS(ON)=170mΩ@4.5V SOT223

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      NCE60P04R 器件參數(shù)

      Function

      • 連續(xù)漏極電流
        4.3 A
      • 輸入偏置電容@30V
        930 pF
      • 類型
        P溝道
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,4A
        106 mΩ
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.2 V
      • 柵極電荷@10V
        25 nC
      • 反向傳輸電容@30V
        35 pF
      • 功率耗散
        3.1 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        2500pcs
      • 制造商封裝
        SOT-223

      NCE60P04R EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NCE60P04R 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • NCE60P04R
        1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip