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      Diodes

      DMN32D2LDF-7

      MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT353

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      DMN32D2LDF-7 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        1.2 V
      • 通道數(shù)量
        2
      • 輸入偏置電容
        39 pF
      • 漏源電阻
        1.2 Ω
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        1.2 Ω
      • 柵源電壓
        10 V
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)共源
      • 反向傳輸電容
        3.6 pF
      • 功率耗散
        280 mW
      • 擊穿電壓
        30 V
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-323-5

      Compliance

      • 無鉛
        Yes
      • 無鹵素
        Yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1 mm
      • 長度
        2.2 mm
      • 寬度
        1.35 mm

      DMN32D2LDF-7 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      DMN32D2LDF-7 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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        來源
      • DMN32D2LDF-7
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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