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      Infineon

      IRS2186PBF

      IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

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      IRS2186PBF 器件參數(shù)

      Function

      • 驅(qū)動配置
        高壓側或低壓側
      • 驅(qū)動器數(shù)量
        2
      • 通道類型
        Independent
      • 輸出端數(shù)量
        2
      • 輸出電流
        4 A
      • 類型
        IGBT, N通道 MOSFET
      • 電源電壓
        20 V
      • 電壓(Min)
        10 V
      • 電壓(Max)
        20 V
      • 接通延遲時間
        170 ns
      • 拓撲結構
        High Side & Low Side
      • 技術
        HVIC
      • 功率耗散
        1 W
      • 關閉延遲時間
        170 ns
      • 供電電流
        240 μA
      • 傳播延遲
        250 ns
      • 下降時間
        30 ns
      • 上升時間
        38 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        125 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        50
      • 制造商封裝
        PDIP-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        5.33 mm
      • 長度
        10.92 mm
      • 寬度
        7.11 mm

      IRS2186PBF EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IRS2186PBF 數(shù)據(jù)手冊

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        標題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      IRS2186PBF 圖片

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