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CBI

MMDT3946DW

晶體管類型:1個NPN和1個PNP;集射極擊穿電壓(Vceo):40V;集電極電流(Ic):200mA;功率(Pd):200mW;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,1V;

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MMDT3946DW 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    200 mA
  • 集電極截止電流
    50 nA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓
    300 mV, 400 mV
  • 集電極-發(fā)射極電壓
    40 V
  • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
    40 V
  • 轉(zhuǎn)換頻率
    250 MHz, 300 MHz
  • 電流增益 hFE@10mA,1V
    100
  • 晶體管類型
    1個NPN和1個PNP
  • 功率耗散
    200 mW

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 安裝方式
    SMT
  • 制造商封裝
    SOT-323-6

MMDT3946DW 數(shù)據(jù)手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip

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