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YFSEMI
晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):80V;集電極電流(Ic):1A;功率(Pd):500mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,2V;特征頻率(fT):100MHz;工作溫度:-65℃~+150℃@(Tj);
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