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      Diodes

      ZXMN3G32DN8TA

      MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC

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      ZXMN3G32DN8TA 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        3 V
      • 閘/源截止電壓
        3 V
      • 配置
        Dual
      • 通道數(shù)量
        2
      • 連續(xù)漏極電流
        7.1 A
      • 輸入偏置電容
        472 pF
      • 漏源電阻
        28 mΩ
      • 漏源電壓
        30 V
      • 漏源極擊穿電壓
        30 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        28 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵極電荷@10V
        10.5 nC
      • 晶體管類型
        2個(gè)N溝道(雙)
      • 接通延遲時(shí)間
        2.5 ns
      • 導(dǎo)通電阻
        45 mΩ
      • 功率耗散
        2.1 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        14 ns
      • 元件數(shù)量
        2
      • 下降時(shí)間
        9.7 ns
      • 上升時(shí)間
        3.1 ns
      • FET功能
        邏輯電平門

      Physical

      • 重量
        0.00261 oz
      • 焊端樣式
        SMD
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        500
      • 制造商封裝
        SOIC

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.5 mm
      • 長(zhǎng)度
        5 mm
      • 寬度
        4 mm

      ZXMN3G32DN8TA 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      ZXMN3G32DN8TA 圖片

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