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      ON Semiconductor

      FJP13007H1TU-F080

      Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 8 A 4MHz 80 W Through Hole TO-220-3

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      FJP13007H1TU-F080 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        8 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@8A,2A
        3 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        400 V
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        4 MHz
      • 電流增益 hFE@5A,5V
        5
      • 晶體管類型
        NPN
      • 功率耗散
        80 W

      Physical

      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -65 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 安裝方式
        DIP
      • 制造商封裝
        TO-220

      Compliance

      • RoHS
        Yes

      FJP13007H1TU-F080 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      FJP13007H1TU-F080 數(shù)據(jù)手冊

      FJP13007H1TU-F080 圖片

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