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      ON Semiconductor

      NSTB1002DXV5T1G

      Dual Common Base-Collector Bias Resistor Transistors, NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors, 5-Pin SOT-553, Pb-Free, Tape and Reel

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      NSTB1002DXV5T1G 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        100 mA
      • 集電極電流
        200 mA
      • 集電極截止電流
        500 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        250 mV
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        250 mV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        40 V
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        250 MHz
      • 電流增益 hFE
        250
      • 極性
        Dual NPN BRT & PNP TXR
      • 晶體管類(lèi)型
        PNP,NPN-預(yù)偏置
      • 發(fā)射極 - 基極電壓
        6 V
      • 功率耗散
        357 mW, 500 mW

      Physical

      • 引腳數(shù)
        5
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-553

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      Dimension

      • 高度
        600 μm
      • 長(zhǎng)度
        1.7 mm
      • 寬度
        1.3 mm

      NSTB1002DXV5T1G EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      NSTB1002DXV5T1G 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 0
        1年前
        Altium Library

      NSTB1002DXV5T1G 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip