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      Infineon

      IKB10N60T

      600 V IGBT in TrenchStop? and Fieldstop Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel EmCon 3 Diode, 20 A IC, -40 to 175 degC, PG-TO263-3-2, Reel, Green

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      IKB10N60T 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        20 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        2.05 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        600 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        600 V
      • 配置
        Single
      • 正向電壓
        1.6 V
      • 反向恢復(fù)時(shí)間
        115 ns
      • 功率耗散
        110 W

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -40 °C, 175 °C
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free
      • 無(wú)鹵素
        Halogen Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        4.57 mm
      • 長(zhǎng)度
        10.31 mm
      • 寬度
        9.45 mm

      IKB10N60T EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IKB10N60T 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • 1年前
        Farnell
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • Rev. 2.3
        1年前
        Altium Library

      IKB10N60T 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

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