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      Infineon

      SPI08N50C3

      N-Channel CoolMOS? Power-Transistor, 500?V VDS, 7.6?A ID, -55 to 150 degC, PG-TO262-3-1, Tube, Green

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      SPI08N50C3 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        7.6 A
      • 額定電壓
        560 V
      • 閾值電壓
        3 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        7.6 A
      • 輸入偏置電容@25V
        750 pF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        600 mΩ
      • 漏源電壓
        560 V
      • 漏源極擊穿電壓
        560 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@4.6A,10V
        600 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        600 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@350uA
        3.9 V
      • 柵極電荷@10V
        32 nC
      • 接通延遲時間
        6 ns
      • 功率耗散
        83 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        60 ns
      • 下降時間
        7 ns
      • 上升時間
        5 ns

      Physical

      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        150 °C
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        500
      • 制造商封裝
        TO-262-3-1

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      SPI08N50C3 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      SPI08N50C3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標題
        上傳于
        來源
      • Rev. 2.91
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Farnell

      SPI08N50C3 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

      • Farnell

        Farnell