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      Infineon

      IRG4PH50SPBF

      N溝道，Vce=1200V，Ic=57A，Vce(on)=1.47V

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      IRG4PH50SPBF 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        57 A
      • 額定電壓
        1.2 V, 1.2 kV
      • 集電極電流
        57 A
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        1.47 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        1.7 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        1.2 kV
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        57 A
      • 輸入偏置電容
        3.6 nF
      • 柵源電壓
        30 V
      • 柵極電荷
        167 nC
      • 接通延遲時間
        32 ns
      • 技術(shù)
        IGBT Gen 4
      • 功率耗散
        200 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        1.17 μs
      • 上升時間
        29 ns

      Physical

      • 焊端樣式
        Through Hole
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Bulk
      • 包裝數(shù)量
        25
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        yes
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        20.3 mm
      • 長度
        15.9 mm
      • 寬度
        5.3 mm

      IRG4PH50SPBF 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
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        來源
      • IRG4PH50SPBF
        1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip