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AUIRF3808S

制造商：Infineon

描述：類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):75V;連續(xù)漏極電流(Id):106A;功率(Pd):200W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@82A,10V;

Datasheet：

在線詢價
  • Farnell
    Farnell
  • Huaqiu Chip
    Huaqiu Chip

器件參數(shù)

Function

  • 閾值電壓
    2 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    106 A
  • 輸入偏置電容@25V
    5.31 nF
  • 類型
    N溝道
  • 漏源電阻
    7 mΩ
  • 漏源電壓
    75 V
  • 漏源極擊穿電壓
    75 V
  • 漏源導通電阻@82A,10V
    7 mΩ
  • 漏源導通電阻
    7 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    4 V
  • 柵極電荷@10V
    220 nC
  • 晶體管類型
    N溝道
  • 接通延遲時間
    16 ns
  • 功率耗散
    200 W
  • 關閉延遲時間
    68 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時間
    120 ns
  • 上升時間
    140 ns

Physical

  • 觸點鍍層
    Tin
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Rail/Tube
  • 包裝數(shù)量
    50
  • 制造商封裝
    D2PAK

Compliance

  • 無鉛
    無鉛 / 符合限制有害物質指令(RoHS)規(guī)范要求
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    4.83 mm
  • 長度
    10.67 mm
  • 寬度
    9.65 mm
庫存量：0
預計交期：
數(shù)量
單價
總價(階梯最低數(shù)量總價)

EDA模型
下載zip

原理圖符號
封裝
3D模型

替代物料