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IR推出 AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET

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2011-06-16 09:35:044803

IR推出堅固的新型平面MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日推出新的MOSFET系列,適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用,包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
2011-07-12 08:40:541219

IR推出MOSFET系列

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出 MOSFET 系列,可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ,包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制
2011-09-15 09:27:391642

IR推出全新數(shù)字功率控制器

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出全新數(shù)字功率平臺,該產(chǎn)品可大幅提升多種應(yīng)用的能效,包括高性能服務(wù)器、臺式電腦及運
2011-09-22 08:51:371352

IR推出優(yōu)化的600VIGBT系列

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日新推出600VIGBT系列,專門針對電動汽車和混合動力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化
2011-10-13 09:03:461170

IR推出600V柵極驅(qū)動芯片AUIRS2332J

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出600V AUIRS2332J 三相柵極驅(qū)動器IC,適用于電動汽車和混合動力汽車中的高壓電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。
2011-10-21 09:45:211990

Vishay推出新款n溝道功率MOSFET 60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布, Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的,分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923

IR推出緊湊型AUIR0815S柵極驅(qū)動IC

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 近日推出IC ── AUIR0815S,具備超過10 A 的高輸出電流。
2012-02-02 09:21:201457

IR推出采用TSOP-6封裝的HEXFET MOSFET系列產(chǎn)品

  國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件,適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等
2012-04-25 09:34:441272

IR推出緊湊型PowIRaudio集成式功率模塊

國際整流器公司推出PowIRaudio集成式功率模塊系列,適用于高性能家庭影院系統(tǒng)及音頻放大器。新器件將脈沖寬度調(diào)制控制器和兩個數(shù)字音頻功率MOSFET集成至單一封裝,提供高效緊湊
2012-05-23 10:56:151134

IR推出IR3891和IR3892雙輸出SupIRBuck穩(wěn)壓器

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR推出IR3891和IR3892 SupIRBuck集成式雙輸出穩(wěn)壓器,適用于空受限的網(wǎng)絡(luò)通信、服務(wù)器和存儲應(yīng)用。
2013-11-20 16:04:251496

IR推出堅固雙低側(cè)驅(qū)動IC適合開關(guān)電源應(yīng)用

2014年9月2日,北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 –國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR推出大電流雙低側(cè)驅(qū)動IC AUIRB24427S
2014-09-03 14:24:523235

IR電池保護(hù)MOSFET系列為移動應(yīng)用提供靈活解決方案

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日針對鋰離子電池保護(hù)應(yīng)用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術(shù)的一系列器件,包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
2014-12-03 10:19:413092

IR為混合動力汽車和電動推出600VIGBT

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR)近日發(fā)布600VIGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0,針對混合動力汽車和電動中的小型輔助電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用而優(yōu)化,包括空調(diào)壓縮機(jī)應(yīng)用等。
2014-12-11 11:48:093378

AW8736FCR_產(chǎn)品手冊

AW8736FCR_產(chǎn)品手冊。
2016-03-28 14:39:0717

感測器結(jié)合IR LED與CMOS攝影技術(shù),提高駕駛安全性

為了提高駕駛的舒適度與安全性,現(xiàn)今各種高科技紛紛應(yīng)用在車市場,導(dǎo)致晶片、感測器市場成長快速,歐司朗光電半導(dǎo)體市場經(jīng)理Walter Rothmund表示,由于光探測器(photodetector )與IR LED的感測技術(shù)發(fā)展,讓駕駛與路上行人的安全更有保障。
2017-12-18 14:17:594773

大電流功率電感器CSBL0630-2R2M數(shù)據(jù)手冊

大電流功率電感器CSBL0630-2R2M數(shù)據(jù)手冊
2021-07-01 11:02:248

大電流功率電感器CSBL0640-2R2M數(shù)據(jù)手冊

大電流功率電感器CSBL0640-2R2M數(shù)據(jù)手冊
2021-07-05 10:55:3613

P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET LT2P06SJ資料說明

P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET LT2P06SJ資料說明
2022-01-23 09:40:113

英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET,樹立技術(shù)新標(biāo)準(zhǔn)

英飛凌科技近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產(chǎn)品系列,旨在為分立功率MOSFET技術(shù)樹立全新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
2022-03-14 17:39:162199

LFPAK中的N溝道 30 V2mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLE

LFPAK 中的 N 溝道 30 V 2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN2R0-30YLE
2023-02-16 20:02:440

I2PAK中的N溝道 40V,2.1 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40PS

I2PAK 中的 N 溝道 40 V、2.1 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R2-40PS
2023-02-23 18:38:430

英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET,進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝,具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻(RthJC最大值為3.2 K/W)。
2023-10-13 16:25:121705

Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品IXTY2P50PA

Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求,提供卓越的性能和可靠性。
2023-10-25 09:43:251341

規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀,SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求

1、SiC MOSFET對器件封裝的技術(shù)需求 2、規(guī)級功率模塊封裝的現(xiàn)狀 3、英飛凌最新SiC HPD G2和SSC封裝 4、未來模塊封裝發(fā)展趨勢及看法
2023-10-27 11:00:522610

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑,為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動力。
2024-03-12 09:43:291432

TLC696x2/4/8-Q1掃描MOSFET控制器TLC696x0-Q1數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TLC696x2/4/8-Q1掃描MOSFET控制器TLC696x0-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-26 10:13:530

CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊

這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗,并針對 5V 柵極驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。2mm × 2mm SON 為封裝尺寸提供出色的熱性能。
2025-04-15 17:08:38701

?STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA SiC功率模塊技術(shù)解析

電源模塊集成了六個第二代碳化矽功率MOSFET。憑借其廣受業(yè)界認(rèn)可的尖端芯片技術(shù),STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA能夠最大限度地減少能量損失,并在高頻切換頻率模式下運行。該模塊使得用戶可以構(gòu)建滿足超大功率密度于高效率要求的復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2025-10-15 09:44:08496

解析 onsemi SiC 功率MOSFET模塊NVXK2PR80WXT2

作為一名電子工程師,在為電動汽車(xEV)應(yīng)用設(shè)計 DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器時,合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細(xì)解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24633

探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結(jié)合

探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結(jié)合 在電子工程領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天
2025-12-18 13:50:02215

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動器的卓越之選

2ED1322S12M/2ED1321S12M:1200V半橋柵極驅(qū)動器的卓越之選 在電力電子領(lǐng)域,對于IGBT或SiC MOSFET功率器件的高效控制一直是工程師們關(guān)注的焦點。今天,我們就來
2025-12-20 11:30:021309

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