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      STMicroelectronics

      STW43NM60ND

      N Channel Power Mosfet, Fdmesh, 600V, 35A, To-247; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:35A; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:255W; Msl:- Rohs Compliant: Yes

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      STW43NM60ND 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        4 V
      • 配置
        Single
      • 連續(xù)漏極電流
        35 A
      • 輸入偏置電容
        4.3 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        88 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,17.5A
        88 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        88 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        5 V
      • 柵極電荷
        145 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        30 ns
      • 功率耗散
        255 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        120 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時間
        50 ns
      • 上升時間
        40 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Through Hole
      • 包裝方式
        Rail/Tube
      • 包裝數(shù)量
        30
      • 制造商封裝
        TO-247-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        20.15 mm
      • 長度
        15.75 mm
      • 寬度
        5.15 mm

      STW43NM60ND EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      STW43NM60ND 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
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      • 1年前
        Future

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      • Huaqiu Chip

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