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      Rohm

      DTA143TCAHZGT116

      Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 350 mW Surface Mount SST3

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      DTA143TCAHZGT116 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        500 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@250uA,5mA
        300 mV
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        50 V
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        250 MHz
      • 電流增益 hFE@1mA,5V
        100
      • 晶體管類型
        1個(gè)PNP-預(yù)偏置
      • 功率耗散
        350 mW

      Physical

      • 安裝方式
        SMT
      • 制造商封裝
        SST-3

      DTA143TCAHZGT116 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      DTA143TCAHZGT116 圖片

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