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      Infineon

      IPB180N06S4H1ATMA2

      MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

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      IPB180N06S4H1ATMA2 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        180 A
      • 輸入偏置電容@25V
        21.9 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        1.7 mΩ
      • 漏源電壓
        60 V
      • 漏源極擊穿電壓
        60 V
      • 漏源導通電阻@100A,10V
        1.7 mΩ
      • 漏源導通電阻
        1.7 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@200uA
        4 V
      • 柵極電荷@10V
        270 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        30 ns
      • 功率耗散
        250 W
      • 關閉延遲時間
        60 ns

      Physical

      • 重量
        0.056438 oz
      • 工作溫度@Tj
        175 °C
      • 工作溫度(Min)
        -55 °C
      • 工作溫度(Max)
        175 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-7

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • RoHS
        yes

      Dimension

      • 高度
        4.57 mm
      • 長度
        10.31 mm
      • 寬度
        9.45 mm

      IPB180N06S4H1ATMA2 EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      IPB180N06S4H1ATMA2 數(shù)據(jù)手冊

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        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • 1年前
        Huaqiu Chip

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      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip

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