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      Texas Instruments (TI)

      TL061IDR

      Low-Power JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier, 7 to 36 V, -40 to 85 degC, 8-pin SOIC (D8), Green (RoHS & no Sb/Br)

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      TL061IDR 器件參數(shù)

      Function

      • 通道數(shù)量
        1
      • 輸入偏置電流
        200 pA
      • 輸入偏置電壓
        6 mV
      • 電源電壓
        18 V
      • 電壓增益
        75.56 dB
      • 帶寬
        1 MHz
      • 增益帶寬乘積
        1 MHz
      • 回路數(shù)量
        1
      • 壓擺率
        3.5 V/μs
      • 共模抑制比
        80 dB
      • 元件數(shù)量
        1
      • 供電電流
        200 μA, 250 μA
      • I/O電壓
        6 mV

      Physical

      • 觸點(diǎn)鍍層
        Gold
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -40 °C, 85 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        SOIC-8

      Compliance

      • 無(wú)鉛
        Lead Free

      Dimension

      • 高度
        1.58 mm
      • 長(zhǎng)度
        4.9 mm
      • 寬度
        3.91 mm

      TL061IDR EDA模型

      原理圖符號(hào)
      封裝
      3D模型
      下載zip

      TL061IDR 數(shù)據(jù)手冊(cè)

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來(lái)源
      • SLOS078J
        1年前
        Altium Library
      • 1年前
        Huaqiu Chip

      TL061IDR 圖片

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip