chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

Renesas Electronics

70V3579S6BCI

IC SRAM 1.125MBIT PAR 256CABGA

數據手冊下載 立即訂購
  • 器件參數
  • EDA模型
  • 數據手冊
  • 圖片
  • 技術文章
  • 開發(fā)資料
  • 社區(qū)問答

70V3579S6BCI 器件參數

Function

  • 訪問時間
    12 ns
  • 電源電壓
    3.15 V, 3.3 V, 3.45 V
  • 接口類型
    并聯
  • 接口
    Parallel
  • 存儲密度
    1.125 Mb
  • 存儲器類型
    SRAM
  • 存儲器容量
    1 Mb
  • 地址總線寬度
    30 bit

Physical

  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數
    256
  • 工作溫度
    -40 °C, 85 °C
  • 安裝方式
    表面貼裝
  • 包裝方式
    Bulk
  • 包裝數量
    6
  • 制造商封裝
    CABGA-256(17x17)

Compliance

  • 無鉛
    Contains Lead

Dimension

  • 長度
    17 mm
  • 寬度
    17 mm
  • 厚度
    1.4 mm

70V3579S6BCI EDA模型

原理圖符號
封裝
3D模型
下載zip

70V3579S6BCI 數據手冊

  • 文檔
    標題
    上傳于
    來源
  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

70V3579S6BCI 圖片

  • Huaqiu Chip

    Huaqiu Chip

  • Future

    Future