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      Infineon

      BCR191WH6327XTSA1

      Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323

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      BCR191WH6327XTSA1 器件參數(shù)

      Function

      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓
        300 mV
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        50 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        50 V
      • 配置
        Single
      • 轉(zhuǎn)換頻率
        200 MHz
      • 電流增益 hFE@5mA，5V
        50
      • 極性
        PNP (Single)
      • 晶體管類型
        PNP
      • 功率耗散
        250 mW

      Physical

      • 觸點(diǎn)鍍層
        Tin
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度
        -65 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SOT-323

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • 無鹵素
        yes

      BCR191WH6327XTSA1 數(shù)據(jù)手冊

      BCR191WH6327XTSA1 圖片

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        Digikey

      • Huaqiu Chip

        Huaqiu Chip