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JSCJ

2SC1008

晶體管類型:NPN;集射極擊穿電壓(Vceo):60V;集電極電流(Ic):700mA;功率(Pd):800mW;集電極截止電流(Icbo):100nA;集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):400mV@500mA,50mA;直流電流增益(hFE@Ic,Vce):200@50mA,2V;特征頻率(fT):30MHz;工作溫度:+150℃@(Tj);

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2SC1008 器件參數(shù)

Function

  • 集電極電流
    700 mA
  • 集電極截止電流
    100 nA
  • 集電極發(fā)射極飽和電壓@500mA,50mA
    400 mV
  • 轉換頻率
    30 MHz
  • 電流增益 hFE@50mA,2V
    200
  • 晶體管類型
    NPN
  • 功率耗散
    800 mW

Physical

  • 工作溫度@Tj
    150 °C
  • 制造商封裝
    TO-92-3

2SC1008 數(shù)據手冊

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  • 1年前
    Huaqiu Chip

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