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      ON Semiconductor

      MSB1218A-RT1G

      PNP Silicon General Purpose Amplifier Transistor, 3-Pin SC70, Pb-Free, Tape and Reel

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      MSB1218A-RT1G 器件參數(shù)

      Function

      • 額定電流
        -100 mA
      • 額定電壓
        -45 V
      • 集電極電流
        100 mA
      • 集電極截止電流
        100 nA
      • 集電極發(fā)射極飽和電壓@100mA,10mA
        500 mV
      • 集電極-基極電壓
        45 V
      • 集電極-發(fā)射極電壓
        45 V
      • 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
        45 V
      • 配置
        Single
      • 電流增益 hFE@2mA,10V
        210
      • 極性
        PNP
      • 晶體管類型
        PNP
      • 發(fā)射極 - 基極電壓
        7 V
      • 功率耗散
        150 mW
      • 元件數(shù)量
        1

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        3
      • 工作溫度@Tj
        150 °C
      • 安裝方式
        SMT
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        SC-70

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • RoHS
        Yes

      MSB1218A-RT1G EDA模型

      原理圖符號
      封裝
      3D模型
      下載zip

      MSB1218A-RT1G 數(shù)據(jù)手冊

      MSB1218A-RT1G 圖片

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