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      STMicroelectronics

      STB28N60M2

      MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

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      STB28N60M2 器件參數(shù)

      Function

      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        22 A
      • 輸入偏置電容
        1.44 nF
      • 等級
        Industrial
      • 漏源電阻
        150 mΩ
      • 漏源電壓
        600 V
      • 漏源極擊穿電壓
        600 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        150 mΩ
      • 柵源電壓
        25 V
      • 柵極電荷
        36 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時間
        14.5 ns
      • 功率耗散
        170 W
      • 關(guān)閉延遲時間
        100 ns
      • 下降時間
        8 ns
      • 上升時間
        7.2 ns

      Physical

      • 重量
        0.139332 oz
      • 觸點鍍層
        Tin
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 制造商封裝
        TO-263-3

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free

      STB28N60M2 數(shù)據(jù)手冊

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        Huaqiu Chip
      • 1年前
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        1年前
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