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      Vishay

      SIR424DP-T1-GE3

      MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

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      SIR424DP-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        2.5 V
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        30 A
      • 輸入偏置電容
        1.25 nF
      • 類型
        N溝道
      • 漏源電阻
        4.6 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,20A
        5.5 mΩ
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        5.5 mΩ
      • 柵源電壓
        20 V
      • 柵源極閾值電壓@250uA
        2.5 V
      • 柵極電荷@10V
        35 nC
      • 晶體管類型
        N溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        18 ns
      • 功率耗散
        4.8 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        23 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        10 ns
      • 上升時(shí)間
        12 ns

      Physical

      • 重量
        0.01787 oz
      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        8
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        PowerPAK-SO-8

      Compliance

      • 無鉛
        Lead Free
      • REACH SHVC Compliant
        No SVHC

      Dimension

      • 高度
        1.04 mm
      • 長度
        4.9 mm
      • 寬度
        5.89 mm

      SIR424DP-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊

      • 文檔
        標(biāo)題
        上傳于
        來源
      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SIR424DP-T1-GE3
        1年前
        Huaqiu Chip

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