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ON Semiconductor

FDD6670A

MOSFET N-CH 30V 15A/66A DPAK

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FDD6670A 器件參數(shù)

Function

  • 額定電流
    66 A
  • 額定電壓
    30 V
  • 閾值電壓
    1.8 V
  • 閘/源截止電壓
    1.8 V
  • 配置
    Single
  • 連續(xù)漏極電流
    15 A
  • 輸入偏置電容@15V
    1.755 nF
  • 類(lèi)型
    N溝道
  • 漏源電阻
    8 mΩ
  • 漏源電壓
    30 V
  • 漏源極擊穿電壓
    30 V
  • 漏源導(dǎo)通電阻@10V,15A
    8 mΩ
  • 漏源導(dǎo)通電阻
    8 mΩ
  • 柵源電壓
    20 V
  • 柵源極閾值電壓@250uA
    3 V
  • 柵極電荷@5V
    22 nC
  • 晶體管類(lèi)型
    N溝道
  • 接通延遲時(shí)間
    11 ns
  • 功率耗散
    3.2 W, 63 W
  • 關(guān)閉延遲時(shí)間
    29 ns
  • 元件數(shù)量
    1
  • 下降時(shí)間
    19 ns
  • 上升時(shí)間
    12 ns

Physical

  • 重量
    10 mlb
  • 配置
    Single
  • 觸點(diǎn)鍍層
    Tin
  • 焊端樣式
    SMD
  • 抗輻射加固
    No
  • 引腳數(shù)
    3
  • 工作溫度@Tj
    175 °C
  • 工作溫度(Min)
    -55 °C
  • 工作溫度(Max)
    175 °C
  • 安裝方式
    Surface Mount
  • 包裝方式
    Tape and Reel
  • 制造商封裝
    TO-252

Compliance

  • 無(wú)鉛
    Contains Lead
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    2.39 mm
  • 長(zhǎng)度
    6.73 mm
  • 寬度
    6.22 mm

FDD6670A EDA模型

原理圖符號(hào)
封裝
3D模型
下載zip

FDD6670A 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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  • 1年前
    Huaqiu Chip
  • 1年前
    Huaqiu Chip

FDD6670A 圖片

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