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      Vishay

      SIA461DJ-T1-GE3

      MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

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      SIA461DJ-T1-GE3 器件參數(shù)

      Function

      • 閾值電壓
        -400 mV
      • 配置
        Single
      • 通道數(shù)量
        1
      • 連續(xù)漏極電流
        -12 A
      • 輸入偏置電容
        1.3 nF
      • 漏源電阻
        33 mΩ
      • 漏源電壓
        20 V
      • 漏源極擊穿電壓
        -20 V
      • 漏源導(dǎo)通電阻
        33 mΩ
      • 柵源電壓
        8 V
      • 柵極電荷
        45 nC
      • 晶體管類型
        P溝道
      • 接通延遲時(shí)間
        20 ns
      • 功率耗散
        17.9 W, 3.4 W
      • 關(guān)閉延遲時(shí)間
        50 ns
      • 元件數(shù)量
        1
      • 下降時(shí)間
        20 ns
      • 上升時(shí)間
        22 ns

      Physical

      • 抗輻射加固
        No
      • 引腳數(shù)
        6
      • 工作溫度
        -55 °C, 150 °C
      • 安裝方式
        Surface Mount
      • 包裝方式
        Tape and Reel
      • 包裝數(shù)量
        1
      • 制造商封裝
        PowerPAK SC70-6

      Compliance

      • 無鉛
        無鉛 / 符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
      • REACH SHVC Compliant
        Unknown

      Dimension

      • 高度
        750 μm
      • 長(zhǎng)度
        2.05 mm
      • 寬度
        2.05 mm

      SIA461DJ-T1-GE3 數(shù)據(jù)手冊(cè)

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      • 1年前
        Huaqiu Chip
      • SIA461DJ-T1-GE3
        1年前
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