--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
vsc160n10ms-VB是VBsemi品牌的N—Channel溝道MOSFET,采用SOT23封裝。以下是該產品的詳細參數和應用簡介:
- **參數說明:**
- 類型:N—Channel溝道MOSFET
- 最大耐壓:100V
- 最大電流:4.3A
- 開啟電阻(RDS(ON)):120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓(Vth):1.2~2.8V
- **封裝:**
- 類型:SOT23

- **適用領域和模塊舉例:**
1. **適用領域:** 由于是N—Channel溝道MOSFET,通常用于電源開關、驅動電路和功率放大等領域。
2. **模塊應用舉例:**
- **電源開關:** vsc160n10ms-VB可以應用在電源開關模塊中,用于控制電流的開關。
- **驅動電路:** 在驅動電路中,可用于放大和控制信號。
- **電機控制:** 適用于電機控制電路,用于調節(jié)電機的功率。
該產品適用于需要N—Channel MOSFET的電源開關、驅動電路和電機控制等領域。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12