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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管

型號(hào): P2504BDG-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 2.5V
  • RDS(ON) 12mΩ@VGS=10V
  • ID 55A

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### P2504BDG-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

P2504BDG-VB是一款高效能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于多種電子應(yīng)用。該器件具有40V的漏源電壓(VDS),20V的柵源電壓(VGS),并提供優(yōu)秀的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)),在VGS為4.5V時(shí)為14mΩ,在VGS為10V時(shí)為12mΩ,最大持續(xù)電流(ID)達(dá)到55A。其采用先進(jìn)的Trench技術(shù),確保在高頻和高功率應(yīng)用中具備良好的性能和可靠性。

### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**:P2504BDG-VB
- **封裝**:TO252
- **配置**:?jiǎn)蜰溝道
- **漏源電壓(VDS)**:40V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **閾值電壓(Vth)**:2.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:
 - 14mΩ @ VGS = 4.5V
 - 12mΩ @ VGS = 10V
- **最大電流(ID)**:55A
- **技術(shù)**:Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域與模塊示例

1. **電源管理**:P2504BDG-VB可用于開(kāi)關(guān)電源中的DC-DC轉(zhuǎn)換器,因其低RDS(ON)特性,能夠有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:在電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,該MOSFET適用于控制電機(jī)的啟停和調(diào)速,尤其是在需要快速開(kāi)關(guān)和高電流的應(yīng)用場(chǎng)合。

3. **LED驅(qū)動(dòng)**:此器件也適用于LED驅(qū)動(dòng)電路,因其高電流處理能力和低熱損耗,可以為L(zhǎng)ED提供穩(wěn)定的電流。

4. **電池管理系統(tǒng)**:在電池管理系統(tǒng)中,P2504BDG-VB可以作為開(kāi)關(guān)元件,有效控制充放電過(guò)程,確保系統(tǒng)安全與高效。

5. **汽車電子**:該MOSFET也適用于汽車電源管理系統(tǒng)中,如動(dòng)力系統(tǒng)和燈光控制等,能夠滿足高溫和高電流的應(yīng)用需求。

通過(guò)以上的介紹,可以看出P2504BDG-VB在多個(gè)領(lǐng)域均有著廣泛的應(yīng)用潛力。

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