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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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2SJ607-Z-VB一種P-Channel溝道TO263封裝MOS管

型號: 2SJ607-Z-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO263封裝
  • 溝道 P-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡介

**型號:2SJ607-Z-VB**

2SJ607-Z-VB是一款采用TO-263封裝的單P溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。該產(chǎn)品具備高電流能力和低導通電阻的特點,適用于需要高效率和低功耗的應用場景。其采用先進的Trench技術(shù),保證了在高電流和高壓條件下的穩(wěn)定性能。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝:** TO-263
- **配置:** 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS):** -60V
- **柵源電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** -3V
- **導通電阻 (RDS(ON)):** 
 - 8.5mΩ @ VGS=4.5V
 - 6.5mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID):** -110A
- **技術(shù):** Trench

### 應用領(lǐng)域和模塊實例

**1. 電動汽車:**

2SJ607-Z-VB在電動汽車的電源管理模塊中表現(xiàn)優(yōu)異,適用于電池管理系統(tǒng)(BMS)和電機驅(qū)動控制器。其高電流能力和低導通電阻能有效降低能量損耗,提高系統(tǒng)效率和可靠性。

**2. 數(shù)據(jù)中心電源管理:**

在數(shù)據(jù)中心的電源管理模塊中,該MOSFET可以用于DC-DC轉(zhuǎn)換器和負載開關(guān)應用。其低RDS(ON)和高電流能力能確保電源轉(zhuǎn)換過程中的低損耗,滿足數(shù)據(jù)中心對高效能和穩(wěn)定性的需求。

**3. 工業(yè)自動化設(shè)備:**

2SJ607-Z-VB適用于工業(yè)自動化設(shè)備中的電機控制模塊。其高電流處理能力和耐高壓特性使其能夠在嚴苛的工業(yè)環(huán)境中可靠運行,提高設(shè)備的整體性能和壽命。

**4. 可再生能源系統(tǒng):**

該型號在太陽能逆變器和風能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中應用廣泛。其低導通電阻和高效率有助于提升能量轉(zhuǎn)換效率,減少熱損耗,延長系統(tǒng)運行時間,降低維護成本。

以上應用實例展示了2SJ607-Z-VB MOSFET在多種高性能和高效率要求的場景中的廣泛適用性,彰顯了其在現(xiàn)代電子設(shè)備中的重要地位。

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