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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR8113V-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR8113V-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介(LR8113V-VB)**

LR8113V-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,適用于中低壓、高電流應用。其最大漏源電壓(VDS)為30V,漏極電流(ID)高達100A?;谙冗M的溝槽(Trench)技術(shù),LR8113V-VB具有極低的導通電阻(RDS(ON)),確保在多種電壓條件下實現(xiàn)高效能和低損耗。該器件的設(shè)計使其特別適合要求高電流密度和高效率的應用場合,如電源管理、汽車電子和工業(yè)控制等。

**詳細參數(shù)說明**

- **封裝**:TO252
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:30V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟電壓(Vth)**:1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
 - 3mΩ@VGS=4.5V
 - 2mΩ@VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:100A
- **技術(shù)類型**:Trench(溝槽技術(shù))

**應用領(lǐng)域與模塊舉例**

1. **電源管理系統(tǒng)**:LR8113V-VB特別適合用于電源適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等高效電源管理模塊。其低導通電阻特性確保了在轉(zhuǎn)換過程中極小的能量損耗,提高了系統(tǒng)效率,適用于筆記本、移動設(shè)備充電器等應用。

2. **電動汽車電子**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS)和電機控制中,LR8113V-VB表現(xiàn)出色。它的高電流承載能力和低導通電阻確保了大電流環(huán)境下的高效開關(guān)操作,從而優(yōu)化了能源使用效率,減少了系統(tǒng)發(fā)熱,適合用于電動驅(qū)動系統(tǒng)和高效充電系統(tǒng)。

3. **工業(yè)自動化與控制**:在工業(yè)自動化系統(tǒng)中,LR8113V-VB可用于電機驅(qū)動、開關(guān)電源和負載控制模塊。其高電流處理能力和快速開關(guān)特性能夠在電機驅(qū)動器中提供穩(wěn)定的電力控制,提升工業(yè)設(shè)備的運行可靠性和效率。

4. **消費電子產(chǎn)品**:該MOSFET同樣適用于高效的消費電子產(chǎn)品中,如電視、家庭音響系統(tǒng)和其他電力密集型設(shè)備。其低損耗和高效開關(guān)能力可幫助這些設(shè)備實現(xiàn)更長的使用壽命和更低的功耗。

總的來說,LR8113V-VB憑借其高效的電氣性能和低損耗特點,適合應用于各種需要高電流、高效率的電源管理和控制模塊中,確保系統(tǒng)在高負載條件下的可靠性和效率。

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