--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- Package TO252
- 溝道 Single-N-Channel
- VDS 30V
- VGS 20(±V)
- Vth 1.7V
- RDS(ON) 5mΩ@VGS=10V
- ID 80A
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介:
LR8715C-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N 溝道 MOSFET,專為高效能電源管理和開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。它具有 30V 的漏源極耐壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源極耐壓 (VGS),能夠處理高達 80A 的連續(xù)漏極電流 (ID),使其適用于低電壓、大電流場合。其導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 在 VGS=4.5V 時為 6mΩ,在 VGS=10V 時為 5mΩ,表現(xiàn)出極低的能量損耗,保證了高效的功率傳輸。LR8715C-VB 采用 Trench 技術(shù),具有更低的柵極電荷和更高的開關(guān)效率,非常適合要求高效能和高可靠性的應(yīng)用場合。
### 參數(shù)說明:
1. **封裝 (Package)**: TO252
2. **配置 (Configuration)**: 單 N 溝道
3. **漏源極耐壓 (VDS)**: 30V
4. **柵源極耐壓 (VGS)**: ±20V
5. **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
6. **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
7. **連續(xù)漏極電流 (ID)**: 80A
8. **技術(shù) (Technology)**: Trench 技術(shù)
9. **最大功耗 (Power Dissipation)**: 取決于具體的設(shè)計和散熱條件
10. **工作溫度范圍 (Operating Temperature Range)**: -55°C 至 175°C
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **DC-DC 轉(zhuǎn)換器**:LR8715C-VB 適用于高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器,其低導(dǎo)通電阻使得電流傳輸更加高效,減少轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗,特別是在要求低電壓、大電流的場合表現(xiàn)優(yōu)異。
2. **電池管理系統(tǒng)**:該 MOSFET 在電動汽車和消費電子設(shè)備中的電池管理模塊中可發(fā)揮重要作用,通過精確的電流控制和低損耗導(dǎo)通路徑延長電池壽命并提高系統(tǒng)效率。
3. **電機控制與驅(qū)動**:其高電流處理能力和低導(dǎo)通損耗,使其成為工業(yè)和汽車電機控制中的理想選擇,確保電機在重負荷條件下的穩(wěn)定運行,降低功耗并減少熱量產(chǎn)生。
4. **開關(guān)電源 (SMPS)**:在開關(guān)電源應(yīng)用中,LR8715C-VB 能夠提供快速開關(guān)速度和高效能量傳輸,廣泛用于服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源等高要求領(lǐng)域。
5. **LED 照明驅(qū)動**:該 MOSFET 可用于 LED 驅(qū)動模塊,提供高效的電流控制,確保 LED 照明系統(tǒng)的亮度穩(wěn)定和能耗優(yōu)化,適合智能照明和節(jié)能燈應(yīng)用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競爭力的關(guān)鍵因素。尋找一個性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢的國產(chǎn)替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實現(xiàn)高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12