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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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LR8711C-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管

型號: LR8711C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • 溝道 Single-N-Channel
  • VDS 30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.7V
  • RDS(ON) 2mΩ@VGS=10V
  • ID 100A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### LR8711C-VB產(chǎn)品簡介

LR8711C-VB是一款采用TO252封裝的單N溝道MOSFET,具有高性能的特性,專為高效能功率管理和開關應用設計。該MOSFET支持高達30V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。憑借其1.7V的柵極閾值電壓(Vth)和極低的導通電阻(RDS(ON)),在柵極電壓為4.5V時為3mΩ,柵極電壓為10V時為2mΩ,最大連續(xù)漏極電流可達100A,極大提升了系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換效率。該產(chǎn)品基于Trench(溝槽)技術,能夠提供卓越的導通特性和低開關損耗,適合多種高電流應用。

### LR8711C-VB的詳細參數(shù)說明

1. **封裝類型**:TO252
2. **溝道配置**:單N溝道
3. **漏源電壓 (VDS)**:30V
4. **柵源電壓 (VGS)**:±20V
5. **柵極閾值電壓 (Vth)**:1.7V
6. **導通電阻 (RDS(ON))**:
  - 3mΩ @ VGS = 4.5V
  - 2mΩ @ VGS = 10V
7. **最大漏極電流 (ID)**:100A
8. **技術類型**:Trench(溝槽技術)

### 應用領域及模塊示例

1. **汽車電子**:LR8711C-VB由于其高電流處理能力和低導通損耗,非常適用于汽車電氣系統(tǒng)中的功率管理模塊,如電機驅(qū)動、蓄電池管理系統(tǒng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。這些應用需要低電阻、可靠的開關特性,以提供更高的能源效率和耐久性。

2. **消費類電子產(chǎn)品**:該MOSFET可用于高效能的便攜設備電源管理,例如筆記本電腦、平板電腦和智能手機中的電源調(diào)節(jié)模塊。其低導通電阻能減少熱耗散,提高能效,進而延長設備電池壽命。

3. **工業(yè)電源轉(zhuǎn)換**:在工業(yè)設備中的開關電源和電機控制系統(tǒng)中,LR8711C-VB的高功率處理能力和快速切換特性非常適合。該器件可以用于工業(yè)電機驅(qū)動、功率因數(shù)校正電路(PFC)和不間斷電源(UPS)等場景。

4. **數(shù)據(jù)中心和通信設備**:數(shù)據(jù)中心的服務器和通信基礎設施需要高效的電源管理解決方案。LR8711C-VB的低開關損耗和高效能使其在這些高性能系統(tǒng)中成為理想的選擇,幫助降低功耗和系統(tǒng)運營成本。

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