### 產品簡介

**型號：2SK1169-VB**

2SK1169-VB是一款采用TO-3P封裝的單N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。該產品具有高漏極電壓和低導通電阻，適用于需要高壓和低功耗的應用場景。其采用了SJ_Multi-EPI技術，具備良好的電氣特性和可靠性。

### 詳細參數說明

- **封裝：** TO-3P
- **配置：** 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)：** 600V
- **柵源電壓 (VGS)：** ±30V
- **閾值電壓 (Vth)：** 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))：** 190mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)：** 20A
- **技術：** SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊實例

**1. 電力電子變流器：**

2SK1169-VB適用于電力電子領域中的變流器和逆變器。其高漏極電壓和低導通電阻能夠提供穩(wěn)定的電源轉換和高效率的能量轉換。

**2. 高壓直流輸電系統：**

在高壓直流輸電系統中，該MOSFET可用于功率開關和調節(jié)器。其高漏極電壓和低導通電阻有助于提高能量轉換效率和系統穩(wěn)定性。

**3. 電動汽車充電樁：**

2SK1169-VB適用于電動汽車充電樁的功率開關和電流調節(jié)器。其高漏極電壓和低導通電阻能夠提高充電效率和可靠性。

**4. 太陽能逆變器：**

該型號可用于太陽能逆變器的電源開關和調節(jié)器。其高漏極電壓和低導通電阻有助于提高能量轉換效率和系統穩(wěn)定性。

以上應用實例展示了2SK1169-VB MOSFET在高壓和低功耗要求的領域中的廣泛適用性，體現了其在現代電子設備中的重要性。