--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 2SK1199-VB MOSFET 產(chǎn)品概述
**簡介:**
2SK1199-VB是VBsemi設計的N-Channel MOSFET,適用于需要高壓、低導通電阻和適中電流承載能力的各種應用。采用SJ_Multi-EPI技術(shù),具有穩(wěn)定的性能和可靠性,是對性能和可靠性要求高的應用的理想選擇。
**特點:**
- **漏極-源極電壓(VDS):** 900V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 1500mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 5A
- **技術(shù):** SJ_Multi-EPI
- **封裝:** TO220
- **配置:** 單N-Channel

### 詳細規(guī)格
1. **電氣特性:**
- **最大漏極-源極電壓(VDS):** 900V
- **最大柵極-源極電壓(VGS):** ±30V
- **閾值電壓(Vth):** 3.5V
- **導通電阻(RDS(ON)):** 1500mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏極電流(ID):** 5A
2. **熱性能和機械特性:**
- **封裝類型:** TO220
- **結(jié)-外界熱阻:** 標準TO220封裝的熱阻
- **最大結(jié)溫(Tj):** 由制造商指定
3. **性能特點:**
- **技術(shù):** SJ_Multi-EPI
- **柵極電荷(Qg):** 基于VGS和ID的典型值
- **輸入電容(Ciss):** 高頻操作的典型值
### 應用示例
1. **電源逆變器:**
2SK1199-VB可用于電源逆變器中,將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。其高漏極-源極電壓和穩(wěn)定性能確保了在家庭和工業(yè)應用中的可靠運行。
2. **工業(yè)電源系統(tǒng):**
2SK1199-VB可用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的電源管理和驅(qū)動器。其適中的電流承載能力和低導通電阻使其成為工業(yè)環(huán)境中的理想選擇,確保設備的穩(wěn)定運行。
3. **太陽能逆變器:**
由于2SK1199-VB具有高電壓承載能力和穩(wěn)定性能,因此可用于太陽能逆變器中,確保太陽能電池板向電網(wǎng)輸送電能時的高效率和穩(wěn)定性。
總之,VBsemi的2SK1199-VB MOSFET是一款穩(wěn)定性能和可靠性的高壓N-Channel MOSFET,適用于電源逆變器、工業(yè)電源系統(tǒng)和太陽能逆變器等應用。其穩(wěn)定的性能和高可靠性使其成為苛刻環(huán)境下的理想選擇。
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